[发明专利]与外部端子接线

权利要求书

1.一种包括半导体芯片的设备，其中所述半导体芯片包括：

边缘，其限定所述半导体芯片的终端；

衬垫形成区域，其沿着所述边缘，所述衬垫形成区域包含沿着所述边缘布置的多个衬垫；

电路块，其包括晶体管，耦合到所述晶体管的通孔，以及与所述晶体管相关联的第一电路；及

分布导体，其将所述通孔耦合到所述多个衬垫中的对应一者，

其中所述第一电路安置在所述衬垫形成区域与所述通孔之间，且

其中所述多个衬垫及所述分布导体由分布导电层制成。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述晶体管布置在所述第一电路与所述通孔之间。

3.根据权利要求1所述的设备，

其中所述电路块进一步包括与所述第一电路相关联的第二电路；及

其中所述第二电路形成在所述多个衬垫中的至少一者下方的所述衬垫形成区域中。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述多个衬垫中的所述至少一者与所述多个衬垫中的所述对应一者不同，且所述多个衬垫中的所述对应者定位远离所述电路块。

5.根据权利要求1所述的设备，

其中所述半导体芯片进一步包括多层布线结构，

其中所述多层布线结构至少包括第一层布线层及第二层布线层，所述第一层布线层包含一或多个第一导体及覆盖所述一或多个第一导体的第一层间绝缘膜，且所述第二层布线层包含一或多个第二导体及覆盖所述一或多个第二导体的第二层间绝缘膜，且

其中所述分布导电层的厚度大于所述一或多个第一导体及所述一或多个第二导体中的每一者。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述分布导电层的厚度为所述一或多个第一导体及所述一或多个第二导体中的每一者的至少五倍厚。

7.根据权利要求5所述的设备，其中所述分布导电层的厚度为所述一或多个第一导体及所述一或多个第二导体中的每一者的超过五倍厚。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述分布导电层由铝制成。

9.一种半导体芯片，其包括：

衬垫，其包含在衬垫形成区域中，所述衬垫经配置以耦合到外部电路；及

第一电路，其包括耦合到所述衬垫的通孔；

分布导电层，其包括所述衬垫及耦合所述衬垫及所述通孔的导体；

第一布线层，其包括第一金属层；及

第二布线层，其在所述第一布线层与所述分布导电层之间，包括第二金属层，

其中所述通孔沿着所述第一电路的第一侧安置，所述第一侧与所述第一电路的第二侧相对，其中所述衬垫形成区域沿着所述第一电路的所述第二侧延伸，且

其中所述通孔由所述第二金属层制成。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中所述第二金属层由铝制成。

11.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中所述第一电路的至少部分安置在所述第一布线层上。

12.根据权利要求11所述的半导体芯片，其进一步包括半导体衬底，所述半导体衬底相对于所述第一布线层位于所述第二布线层的相对侧处，

其中所述第一电路包括至少部分地由所述半导体衬底制成的至少一个晶体管。

13.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中所述第一金属层由钨制成；且

其中所述第一电路包括由所述第一金属层制成的至少一个电阻器。