[发明专利]形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列

权利要求书

1.一种形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法，其包括：

在具绝缘性的材料中的个别电容器开口中形成导电内衬；

移除所述导电内衬中的个别者的竖向中间部分以在所述个别电容器开口中形成彼此竖向分离且间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬；

使电容器绝缘体形成在所述个别电容器开口中的所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的横向内部；及

使导电材料形成在所述个别电容器开口中的所述电容器绝缘体的横向内部且竖向上形成在所述电容器电极内衬之间以构成由所述竖直相对的电容器对中的个别者中的竖直相对的电容器共享的共享电容器电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括使所述共享电容器电极形成为也由所述竖直相对的电容器对中的多者共享。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述个别电容器开口中的所述导电内衬包括容器形状，所述容器形状包括侧壁及横向延伸到所述侧壁且延伸在所述侧壁之间的底部。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括使所述导电内衬形成为向上敞开的。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括使所述导电内衬、所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬形成为在水平横截面中完全环绕所述个别电容器开口。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括使所述上电容器电极内衬形成为包括面向下的容器形状，所述容器形状包括侧壁及横向延伸到所述侧壁且延伸在所述侧壁之间的顶部。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述电容器绝缘体在其横向中心处的所述上电容器电极内衬的所述顶部与所述共享电容器电极之间的竖向厚度大于其在所述上电容器电极内衬的所述侧壁与所述共享电容器电极之间的横向厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除包括从所述导电内衬的所述竖向中间部分的横向外侧开始蚀刻所述导电内衬的所述竖向中间部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除包括从所述导电内衬的所述竖向中间部分的横向内侧开始蚀刻所述导电内衬的所述竖向中间部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述移除期间，除所述移除期间的所述中间部分的横向内部侧壁外，覆盖材料在所述导电内衬的横向内部侧壁中的至少大部分上方。

11.根据权利要求10所述的方法，其包括在形成所述共享电容器电极的所述导电材料前移除所述覆盖材料的全部剩余部分。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容器绝缘体包括可编程材料，使得所述电容器是非易失性的且可编程到至少两个不同量值的电容状态中。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容器绝缘体包括介电材料，使得所述电容器是易失性的。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述具绝缘性的材料包括上绝缘材料、下绝缘材料及竖向上介于所述上绝缘材料与所述下绝缘材料之间的牺牲材料；及

所述方法进一步包括：

移除所述牺牲材料以形成空隙空间，所述空隙空间竖向上介于所述上绝缘材料与所述下绝缘材料之间、横向上介于所述个别电容器开口之间且所述电容器绝缘体及所述导电材料形成到所述空隙空间中。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述牺牲材料是非介电的。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述牺牲材料主要为元素形式硅。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述牺牲材料是介电的。