[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在所述第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；

第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；以及

第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层，

其中，所述第一电极包括第一层、第二层和第三层，

所述第一层包括第一金属层，所述第一金属层包括第一金属，并且

所述第一金属的扩散系数大于所述第三层中包含的第三金属的扩散系数；

所述第一层还包括：

第1-1层；以及

第1-2层，设置在所述第1-1层与第一金属层之间，并且

其中，所述第一金属层的厚度在所述第1-1层和第1-2层的厚度之和的1.5倍至2.5倍的范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二层的厚度在所述第一金属层的厚度的0.4至0.53倍的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二层设置在所述第一金属层和第三层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第1-1层包括Cr，并且

其中，所述第1-2层包括Ti。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括反射层，设置在所述第二电极上；以及

覆盖层，设置在所述反射层上并包括多个层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述发光结构还包括多个凹槽，穿过所述第二导电半导体层和有源层，并且延伸到所述第一导电半导体层的部分区域，并且

所述第一电极设置在所述多个凹槽中。

7.一种半导体器件，包括：

发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在所述第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；

第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；以及

第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层，

其中，所述第一电极包括第一层、第二层和第三层，

所述第一层包括第一金属层，所述第一金属层包括第一金属，并且

所述第一金属的扩散系数大于所述第三层中包含的第三金属的扩散系数；

所述第一层包括沿垂直于所述第一层厚度的方向排布的第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一区域和所述第二层之间；

包含在所述第二区域中的第一金属的比率大于包含在所述第一区域中的第一金属的比率，并且

所述第一区域与第二区域的厚度比在3：7至6.3：3.5的范围内。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一金属是Al，并且

所述第一区域的Al比率与所述第二区域的Al比率之比在1：1.5至1：2.5的范围内。