[发明专利]声表面波滤波器以及多工器有效
申请号: | 201780068594.1 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN109964408B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 高峰裕一;岩本英树 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25;H03H9/64;H03H9/72 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 赵琳琳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面波 滤波器 以及 多工器 | ||
滤波器(15)具备切割角为θ°的LiTaO3压电层(227)、高声速支承基板(228)、低声速膜(226)以及IDT电极(22),根据IDT电极(22)的波长λ、IDT电极(22)的膜厚TIDT、IDT电极(22)的比重ρ、电极占空比D、压电层(227)的厚度TLT以及低声速膜(226)的膜厚TVL求出瑞利波的杂散成为极小的压电层(227)的最佳切割角θB,压电层(227)的切割角θ(°)满足θB‑4≤θ≤θB+4的关系。
技术领域
本发明涉及声表面波滤波器以及多工器。
背景技术
作为通信终端用高频滤波器,以往,适当地使用声表面波滤波器。此时,特别是,在通带与阻带之间的频率间隔窄并要求先进的滤波器设计技术的频带中,通带与阻带的过渡区域陡峭的滤波器特性变得重要,因此要求提高弹性波谐振器的Q值。
在专利文献1的图1中,公开了一种声表面波滤波器,其中,通过使用由高声速支承基板、低声速膜、以及压电层的层叠体形成的压电基板,从而提高了Q值。根据上述结构,能够实现声表面波滤波器的低损耗性。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2012/086639号
发明内容
发明要解决的课题
然而,在使用上述层叠体构成了声表面波滤波器的情况下,在比通带更靠低频侧产生瑞利波的杂散,该低频侧的衰减特性会恶化。特别是,在使用该声表面波滤波器构成了多工器的情况下,在与该声表面波滤波器公共连接的低频侧滤波器的通带会产生起因于上述杂散的纹波。
作为能够抑制杂散的对策,已知有使用具有特定的切割角的压电基板。但是,在声表面波滤波器中,必须与所要求的滤波器特性对应地对IDT电极以及压电材料的构造参数进行最佳化。压电基板的最佳切割角根据上述参数而变化,并不是唯一决定的。
因此,本发明正是为了解决上述课题而完成的,其目的在于,提供一种由具有根据IDT电极以及压电材料的构造参数选择出的切割角的压电层构成,在确保通带的低损耗性的同时改善了低频侧的衰减带的声表面波滤波器以及多工器。
用于解决课题的技术方案
为了达到上述目的,本发明的一个方式涉及的声表面波滤波器具备:LiTaO3压电层,切割角为θ°;高声速支承基板,传播的体波(bulk wave)的声速与在所述LiTaO3压电层传播的弹性波的声速相比为高速;低声速膜,配置在所述高声速支承基板与所述LiTaO3压电层之间,传播的体波的声速与在所述LiTaO3压电层传播的弹性波的声速相比为低速;以及IDT电极,形成在所述LiTaO3压电层上,将构成所述IDT电极的一对梳状电极的重复周期设为波长λ(μm),将所述一对梳状电极的膜厚设为TIDT(μm),将所述IDT电极的比重设为ρ(g/cm3),将所述一对梳状电极的电极占空比设为D,将所述LiTaO3压电层的厚度设为TLT(μm),将所述低声速膜的膜厚设为TVL(μm),在该情况下,瑞利波的杂散成为极小的所述LiTaO3压电层的最佳切割角θB(°)由
[数学式1]
规定,所述LiTaO3压电层的切割角θ(°)满足
[数学式2]
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