[发明专利]氧化物半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种氧化物半导体装置的制造方法。在具有氧化物半导体的活性层的氧化物半导体装置的制造工序中，实现工序的简化并实现生产率的提高。本发明是具有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体层的活性层的氧化物半导体装置的制造方法，对活性层(13A)的形成区域照射激光，以实施对活性层(13A)赋予抗蚀刻性的激光退火处理。

技术领域

本发明涉及一种氧化物半导体装置的制造方法。

背景技术

TFT(薄膜晶体管，Thin Film Transistor)作为形成于玻璃基板上的平面显示器用的有源元件而普及。TFT作为基本结构具备栅极端子、源极端子及漏极端子这3端子元件，并具有将成膜于基板上的半导体薄膜用作供电子或空穴移动的活性层而对栅极端子施加电压以控制在活性层流动的电流并接通源极端子与漏极端子之间的电流的功能。

作为TFT的活性层，广泛使用多晶硅薄膜和非晶硅薄膜，随着以智能型手机为代表的移动电子设备的普及，要求小型画面的显示器具有超高精度/高画质且低电耗的图像显示性能，作为能够应对该性能的TFT材料，氧化物半导体受到关注。

众所周知，氧化物半导体当中作为铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物的IGZO与以往的非晶硅等相比，是可实现显示器的高精度化和低电耗化的TFT材料。下述专利文献1中示出一种透明非晶质氧化物薄膜，其以气相成膜法成膜且由元素In、Ga、Zn及O构成，关于氧化物的组成，经过结晶化的组成为InGaO₃(ZnO)_m(m为小于6的自然数)，将不添加杂质离子而电子迁移率超过1cm²/(V·秒钟)并且电子载体浓度为10¹⁶/cm³以下的半绝缘性的透明半绝缘性非晶质氧化物薄膜设为TFT的活性层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-219538号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

以往，将IGZO作为活性层的TFT的制造工序如图1所示具有：在基底基板(玻璃基板)上形成栅极电极层，并进行栅极电极的图案形成的工序(S1工序)；在栅极电极上形成栅极绝缘膜的工序(S2工序)；将栅极绝缘膜进行表面处理的工序(S3工序)；形成活性层(IGZO层)以进行图案形成的工序(S4工序)；形成蚀刻停止层以进行图案形成的工序(S5工序)；及形成电极层(金属层)，并对源极电极、漏极电极进行图案形成的工序(S6工序)等。

如此，将IGZO作为活性层的TFT的制造中，在所述的S1工序、S4工序、S5工序、S6工序等中，需要进行多次图案形成，且每次都需要伴有光致抗蚀剂的掩模曝光的光刻工序，因此存在工序繁琐且无法获得良好的生产率的问题。

尤其，蚀刻停止层是防止IGZO的活性层在之后的电极图案形成时被削掉的层，由于是非功能性层，因此要求省略蚀刻停止层以简化层形成。

本发明为了应对这些问题而提出。即，本发明的课题在于，在具有氧化物半导体的活性层的氧化物半导体装置的制造工序中实现工序的简化并实现生产率的提高。

用于解决技术问题的手段

为了解决这些课题，本发明具备以下结构。

一种氧化物半导体装置的制造方法，该氧化物半导体装置具有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体层的活性层，该氧化物半导体装置的制造方法的特征在于，具有激光退火工序，对所述活性层的形成区域照射激光，以对所述活性层赋予抗蚀刻性。

附图说明

图1是表示以往的将IGZO作为活性层的TFT的制造工序的一部分的说明图。