[发明专利]处理被处理体的方法

权利要求书

1.一种处理被处理体的方法，其特征在于：

所述被处理体包括被蚀刻层、设置于该被蚀刻层上的掩模和设置于该掩模的槽，该槽从掩模的表面形成至该被蚀刻层使该被蚀刻层露出，

所述方法反复执行包括如下工序的流程：

第一工序，其在收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成第一处理气体的等离子体，经由所述槽在所述被蚀刻层的表面的原子层形成包含该第一处理气体的等离子体所含的离子的混合层；

第二工序，其在执行了所述第一工序后，对所述处理容器内的空间进行吹扫；

第三工序，其在执行了所述第二工序后，在所述处理容器内生成第二处理气体的等离子体，利用该第二处理气体的等离子体所含的自由基除去所述混合层；和

第四工序，其在执行了所述第三工序后，对所述处理容器内的空间进行吹扫，

从而按原子层除去所述被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻，

所述被蚀刻层含有硅氧化物，

所述第一处理气体含氮，

所述第二处理气体含氟，

在所述第三工序中生成的所述第二处理气体的等离子体包含所述自由基，所述自由基能够除去含有硅氮化物的所述混合层，

在所述第一工序中，通过对所述第一处理气体的等离子体施加偏置电压，在所述被蚀刻层的表面的原子层形成含有所述离子的所述混合层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第二处理气体是包含NF₃气体和O₂气体的混合气体。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第二处理气体是包含NF₃气体、O₂气体、H₂气体和Ar气体的混合气体。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第二处理气体是包含CH₃F气体、O₂气体和Ar气体的混合气体。