[发明专利]通过跨层图像相减的晶片噪声减少有效
申请号: | 201780068952.9 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN109923654B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | B·布拉尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 图像 晶片 噪声 减少 | ||
1.一种用于多层晶片中的缺陷识别的系统,其包括:
图像数据采集子系统;及
控制器,其与所述图像数据采集子系统电子通信,其中所述控制器包含经配置以执行一或多个软件模块的处理器,所述一或多个软件模块经配置以:
接收第一晶片图像及第二晶片图像,其中所述第一晶片图像是所述多层晶片的第一晶片层的图像,其中所述第二晶片图像是安置于所述多层晶片的所述第一晶片层上的第二晶片层的图像,且其中所述第二晶片图像及所述第一晶片图像在所述多层晶片上的相同平面位置处;
计算所述第一晶片图像与所述第二晶片图像之间的第一差异图像,由此减少晶片噪声;及
基于所述第一差异图像识别一或多个缺陷;
所述一或多个软件模块进一步经配置以:
接收对应于所述第一晶片层的在所述多层晶片上不同于所述第一晶片图像及所述第二晶片图像的平面位置处的第一参考图像;
计算所述第一参考图像与所述第一晶片图像之间的第二差异图像;
接收对应于所述第二晶片层的在所述多层晶片上不同于所述第一晶片图像及所述第二晶片图像的平面位置处的第二参考图像;
计算所述第二参考图像与所述第二晶片图像之间的第三差异图像;及
计算所述第二差异图像与所述第三差异图像之间的第四差异图像;
所述一或多个软件模块进一步经配置以比较所述第四差异图像与所述第一差异图像以验证所述一或多个缺陷的存在。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述图像数据采集子系统经配置以执行晶片扫描。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个软件模块进一步经配置以:
比较所述第一晶片图像与所述第二晶片图像之间的对比度差异;及
如果所述对比度差异超过预定阈值,那么将动态补偿应用于所述第一晶片图像或所述第二晶片图像。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个软件模块进一步经配置以基于晶片设计文件对准所述第二晶片图像与所述第一晶片图像。
5.根据权利要求1所述的系统,其中第一晶片扫描是对所述第一晶片层的整个表面的扫描,其中所述第一晶片图像仅为整个所述表面的一部分,且其中所述一或多个软件模块进一步经配置以基于所述第二晶片图像的所述平面位置选择整个所述表面的一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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