[发明专利]SiC单晶复合体和SiC锭

权利要求书

1.一种SiC单晶复合体，具备：

位于俯视中央的中央部、以及

围绕所述中央部的外周的外周部，

所述中央部与所述外周部的结晶面的晶面指数不同，

在所述中央部与所述外周部之间具有边界，构成所述中央部的结晶的方向与构成所述外周部的结晶的方向隔着所述边界而不同。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶复合体，

所述中央部的结晶生长面具有相对于{0001}面为2°以上且20°以下的偏移角。

3.根据权利要求1或2的任一项所述的SiC单晶复合体，

所述中央部的结晶面为(000-1)C面，所述外周部的结晶面为(0001)Si面。

4.根据权利要求1或2所述的SiC单晶复合体，

所述边界设置在距离所述SiC单晶复合体的外周端为所述SiC单晶复合体的直径5％以上的内侧。

5.根据权利要求3所述的SiC单晶复合体，

所述边界设置在距离所述SiC单晶复合体的外周端为所述SiC单晶复合体的直径5％以上的内侧。

6.一种SiC单晶复合体，具备：

位于俯视中央的中央部、以及

围绕所述中央部的外周的外周部，

所述中央部与所述外周部的结晶面倾斜，

在所述中央部与所述外周部之间具有边界，构成所述中央部的结晶的方向与构成所述外周部的结晶的方向隔着所述边界而不同，

所述边界设置在距离所述SiC单晶复合体的外周端为所述SiC单晶复合体的直径5％以上的内侧且直径30％的内侧位置的外侧。

7.根据权利要求6所述的SiC单晶复合体，

所述中央部的结晶生长面具有相对于{0001}面为2°以上且20°以下的偏移角。

8.根据权利要求6或7所述的SiC单晶复合体，

在与结晶生长时的偏移方向平行且穿过中心的直线与所述边界的交点，

所述中央部与所述外周部的结晶面彼此以相对于所述中央部与所述外周部的边界面垂直的方向为轴倾斜2°以上。

9.一种SiC锭，具有：

位于俯视中央的第1单晶、

围绕所述第1单晶的外周的第2单晶、以及

连接所述第1单晶与所述第2单晶的接合部，

构成所述第1单晶的结晶的方向与构成所述第2单晶的结晶的方向以所述接合部为界而不同，

所述第1单晶与所述第2单晶的多型不同。

10.一种SiC锭，具有：

位于俯视中央的第1单晶、

围绕所述第1单晶的外周的第2单晶、以及

连接所述第1单晶与所述第2单晶的接合部，

构成所述第1单晶的结晶的方向与构成所述第2单晶的结晶的方向以所述接合部为界而不同，

所述接合部设置在距离所述SiC锭的外周端为所述SiC锭的直径5％以上的内侧且直径30％的内侧位置的外侧。

11.根据权利要求10所述的SiC锭，

所述第1单晶与所述第2单晶的多型不同。