[发明专利]激光照射装置及薄膜晶体管的制造方法

说明书

本发明的一个实施方式的激光照射装置具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定区域照射该激光；及投影掩模图案，其设置在该投影透镜上，包含设定有该激光透过的比例即透射率的多个掩模，该投影透镜对于沿规定的方向移动的该玻璃基板上的该多个薄膜晶体管，分别经由该投影掩模图案所包含的该多个掩模来照射该激光，该投影掩模图案包含的该多个掩模分别设定多个该透射率中的任一个。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的形成，特别是涉及向薄膜晶体管上的非晶硅薄膜照射激光而用于形成多晶硅薄膜的激光照射装置及薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

作为反参差(Inversely-staggered)结构的薄膜晶体管，存在有将非晶硅薄膜使用于沟道区域的薄膜晶体管。不过，非晶硅薄膜由于电子迁移率小，因此如果将该非晶硅薄膜使用于沟道区域，则存在薄膜晶体管中的电荷的迁移率减小的难点。

因此，存在如下技术：通过利用激光将非晶硅薄膜的规定的区域瞬间加热而实现多晶体化，形成电子迁移率高的多晶硅薄膜，将该多晶硅薄膜使用于沟道区域。

例如，专利文献1公开了如下内容：在沟道区域形成非晶硅薄膜，然后，向该非晶硅薄膜照射准分子激光器等的激光来进行激光退火，由此，通过短时间内的熔融凝固来进行使多晶硅薄膜晶体化的处理。专利文献1记载了如下内容：通过进行该处理而能够使薄膜晶体管的源极与漏极间的沟道区域成为电子迁移率高的多晶硅薄膜，从而能够实现晶体管动作的高速化。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-100537号公报

发明内容

发明的概要

发明要解决的课题

在专利文献1记载的薄膜晶体管中，源极与漏极间的沟道区域通过一处(一个)多晶硅薄膜形成。因此，薄膜晶体管的特性依赖于一处(一个)多晶硅薄膜。

在此，准分子激光器等的激光的能量密度在其每次照射(发射)时都产生偏差，因此使用该激光形成的多晶硅薄膜的电子迁移率也产生偏差。因此，使用该多晶硅薄膜形成的薄膜晶体管的特性也依赖于激光的能量密度的偏差。

其结果是，玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性可能会产生偏差。

本发明的目的鉴于上述的问题点而作出，提供一种能够抑制玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性的偏差的激光照射装置及薄膜晶体管的制造方法。

用于解决课题的方案

本发明的一个实施方式的激光照射装置具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光；及投影掩模图案，其设置在该投影透镜上，包含设定有该激光透过的比例即透射率的多个掩模，该投影透镜对于沿规定的方向移动的该玻璃基板上的该多个薄膜晶体管，分别经由该投影掩模图案所包含的该多个掩模来照射该激光，该投影掩模图案所包含的该多个掩模分别设定有多个该透射率中的任一个。

本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，在该投影掩模图案中，设定有不同的该透射率的该掩模随机配置。

本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，该投影掩模图案所包含的该多个掩模分别设定有包含在预先确定的规定的范围内的该透射率中的任一个。

本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，该投影透镜是包含于能够将该激光分离的微透镜阵列的多个微透镜，包含于该投影掩模图案的各个该多个掩模分别对应于该多个微透镜。

本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，包含于该投影掩模图案且在与该规定的方向正交的一列中相互相邻的各个该掩模的该透射率互不相同。