[发明专利]光检测装置

权利要求书

1.一种光检测装置，其特征在于，

包括：

半导体基板，其具有彼此相对的第一主面和第二主面，并且具有以盖革模式工作的多个雪崩光电二极管；和

与所述多个雪崩光电二极管中的对应的雪崩光电二极管电连接，并且在厚度方向上贯通所述半导体基板的多个贯通电极，

所述半导体基板具有：

至少在第一方向上排列有所述多个雪崩光电二极管的第一区域；和

二维排列有所述多个贯通电极的第二区域，

所述第一区域和所述第二区域，从与所述第一主面正交的方向看在与所述第一方向正交的第二方向上排列，

在所述第二区域未排列有所述多个雪崩光电二极管。

2.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于：

在所述第一方向上的位置彼此不同的、所述多个雪崩光电二极管中的各雪崩光电二极管，与不同的贯通电极电连接。

3.如权利要求2所述的光检测装置，其特征在于：

所述第一区域呈以所述第一方向为长边方向的矩形形状，

所述多个雪崩光电二极管在所述第一区域二维排列。

4.如权利要求3所述的光检测装置，其特征在于：

所述多个雪崩光电二极管构成在所述第一方向上排列成一列的多个像素，

同一所述像素中包含的多个所述雪崩光电二极管，与同一所述贯通电极电连接。

5.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于：

所述多个雪崩光电二极管在所述第一方向上排列成一列。

6.如权利要求2所述的光检测装置，其特征在于：

所述多个雪崩光电二极管在所述第一方向上排列成一列。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光检测装置，其特征在于：

在所述半导体基板上形成有配置有所述多个贯通电极的多个贯通孔，

所述雪崩光电二极管的节距，比所述第一主面上的所述贯通孔的开口的直径小。

8.如权利要求1～6中任一项所述的光检测装置，其特征在于：

所述第二区域包括在所述第二方向上分开的第三区域和第四区域，

所述第一区域位于所述第三区域与所述第四区域之间，

所述多个贯通电极包括：位于所述第三区域的多个第一贯通电极和位于所述第四区域的多个第二贯通电极。

9.如权利要求7所述的光检测装置，其特征在于：

所述第二区域包括在所述第二方向上分开的第三区域和第四区域，

所述第一区域位于所述第三区域与所述第四区域之间，

所述多个贯通电极包括：位于所述第三区域的多个第一贯通电极和位于所述第四区域的多个第二贯通电极。

10.如权利要求8所述的光检测装置，其特征在于：

所述多个第一贯通电极，从与所述第一主面正交的方向看，排列成所述第一方向为行方向且所述第二方向为列方向的行列状，

所述多个第二贯通电极，从与所述第一主面正交的方向看，排列成所述第一方向为行方向且所述第二方向为列方向的行列状，

所述多个第一贯通电极的列与所述多个第二贯通电极的列，位于同一直线上。

11.如权利要求9所述的光检测装置，其特征在于：

所述多个第一贯通电极，从与所述第一主面正交的方向看，排列成所述第一方向为行方向且所述第二方向为列方向的行列状，

所述多个第二贯通电极，从与所述第一主面正交的方向看，排列成所述第一方向为行方向且所述第二方向为列方向的行列状，

所述多个第一贯通电极的列与所述多个第二贯通电极的列，位于同一直线上。