[发明专利]研磨用组合物及硅晶圆的研磨方法有效
申请号: | 201780069432.X | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN110099977B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 秋月丽子;土屋公亮;谷口惠 | 申请(专利权)人: | 福吉米株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C09G1/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 组合 硅晶圆 方法 | ||
1.一种研磨用组合物,其含有磨粒和碱性化合物,所述磨粒的异形度参数与粒径分布宽度的乘积为4以上且40以下,
所述磨粒的异形度参数是构成所述磨粒的各颗粒的投影面积Sr与所述各颗粒的虚拟投影面积Si之比Sr/Si减1而得的值的绝对值|Sr/Si-1|的平均值,
所述虚拟投影面积Si是以所述各颗粒的垂直费雷特直径为直径的虚拟圆的面积,
所述磨粒的粒径分布宽度是所述磨粒的体积基准的累积粒径分布中的90%粒径与10%粒径之差。
2.根据权利要求1所述的研磨用组合物,其中,所述磨粒包含二氧化硅。
3.根据权利要求1或2所述的研磨用组合物,其用于硅晶圆的研磨。
4.一种硅晶圆的研磨方法,其包括使用权利要求1~3中任一项所述的研磨用组合物来研磨硅晶圆的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造