[发明专利]磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板、磁记录介质和磁记录再生装置用玻璃间隔物

权利要求书

1.一种磁记录介质基板用玻璃，其为非晶态的氧化物玻璃，

在该非晶态的氧化物玻璃中，以摩尔%表示，

SiO₂的含量为45%～68%、

Al₂O₃的含量为5%～20%、

SiO₂与Al₂O₃的总含量(SiO₂+Al₂O₃)为60%～80%、

B₂O₃的含量为0～5%、

MgO的含量为3%～28%、

CaO的含量为0～18%、

BaO和SrO的总含量(BaO+SrO)为0～2%、

碱土金属氧化物的总含量(MgO+CaO+SrO+BaO)为12%～30%、

碱金属氧化物的总含量(Li₂O+Na₂O+K₂O)为3.5%～5.97%，

包含选自由Sn氧化物和Ce氧化物组成的组中的至少一种，Sn氧化物和Ce氧化物的总含量为0.05%～2.00%，

该非晶态的氧化物玻璃的玻璃化转变温度为650℃以上、杨氏模量为90GPa以上、比重为2.85以下、且100℃～300℃的平均线性膨胀系数为48×10^-7/℃以上，

摩尔比{Li₂O/(Li₂O＋Na₂O＋K₂O)}为0.4～1。

2.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，

Li₂O的含量为0～4.97摩尔%、

Na₂O的含量为0～5.96摩尔%、且

K₂O的含量为0～5摩尔%。

3.如权利要求1或2所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，

含有Sn氧化物和Ce氧化物。

4.如权利要求1～3中任一项所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，

相对于碱土金属氧化物的总含量，MgO和CaO的总含量的摩尔比(MgO+CaO)/(MgO+CaO+SrO+BaO)为0.75～1.00。

5.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SiO₂的含量为65%以下。

6.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SiO₂的含量为64%以下。

7.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SiO₂的含量为63%以下。

8.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SiO₂的含量为62%以下。

9.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SiO₂的含量为48%以上。

10.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SiO₂的含量为50%以上。

11.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SiO₂的含量为52%以上。

12.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SiO₂的含量为53%以上。

13.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SiO₂的含量为54%以上。