[发明专利]MOS构件、电路和用于机动车的电池单元

权利要求书

1.一种MOS构件(2)，其具有栅极元件(12)和沟道区(10)，其中，在所述栅极元件(12)与所述沟道区(10)之间布置有电绝缘层，所述电绝缘层由至少三个单层(14，16，18)构成，其中，与所述栅极元件(12)邻接的第一单层(14)由电绝缘材料构成，既不与所述栅极元件(12)邻接也不与所述沟道区(10)邻接的第二单层(16)是存储层，所述存储层适用于永久地存储电荷，并且与所述沟道区(10)邻接的第三单层(18)由电绝缘材料构成，其特征在于，与布置在所述第二单层(16)与所述栅极区(12)之间的单层的等效氧化物厚度的整体相比，布置在所述沟道区(10)与所述第二单层(16)之间的单层的整体具有更大的等效氧化物厚度。

2.根据权利要求1所述的MOS构件(2)，其中，布置在所述栅极元件(12)与所述沟道区(10)之间的所有单层(14，16，18)的总的等效氧化物厚度处于15nm至25nm之间、优选18nm至22nm之间、特别优选19nm至21nm之间。

3.根据权利要求1或2所述的MOS构件(2)，其中，所述第二单层实施成浮栅(20)。

4.根据以上权利要求中任一项所述的MOS构件(2)，其中，所述第二单层(16)具有8nm至12nm之间的、优选9nm至11nm之间的、特别优选9.5nm至10.5nm之间的厚度。

5.根据以上权利要求中任一项所述的MOS构件(2)，其中，在将编程电压施加到所述栅极元件(12)上时，所述编程电压的量值是15至25V、优选18至22V、特别优选19至21V，电荷从所述栅极元件(12)隧穿到所述第二单层(16)中或从所述第二单层(16)隧穿到所述栅极元件(12)中，而同时没有电荷从所述第二单层(16)隧穿到所述沟道区(10)中或从所述沟道区(10)隧穿到所述第二单层(16)中。

6.根据以上权利要求中任一项所述的MOS构件(2)，其中，具有100μs至1ms之间的长度的电压脉冲(34)形式的编程电压足以通过隧穿电流如此改变所述第二单层(16)中的电荷，使得所述MOS构件(2)永久地从截止状态转换为导通状态，或者反之亦然。

7.根据以上权利要求中任一项所述的MOS构件(2)，其中，所述第二单层(16)在所述MOS构件(2)的输送状态中被预充电。

8.根据以上权利要求中任一项所述的MOS构件(2)，其中，所述MOS构件(2)能够用作反保险丝。

9.一种电路(44)，所述电路具有ASIC(30)和根据以上权利要求中任一项所述的MOS构件(2)。

10.一种用于机动车的电池单元，所述电池单元具有根据以上权利要求中任一项所述的MOS构件(2)或电路(44)。