[发明专利]基于光栅的相位对比成像在审

专利信息
申请号: 201780069836.9 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN109964118A 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: H·德尔;T·克勒 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: G01N23/20 分类号: G01N23/20;G01T1/20;A61B6/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李光颖;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 闪烁 相位对比 成像系统 光探测器 衬底 晶片 光栅 成像提供 光敏像素 光学耦合 闪烁材料 外部区域 中心区域 表面法 探测器 向量 填充 平行 延伸
【权利要求书】:

1.一种用于相位对比成像系统(100)的X射线探测器(10),所述X射线探测器(10)包括:

闪烁设备(12);以及

光探测器(14),其具有光学地耦合到所述闪烁设备(12)的多个光敏像素(15);

其中,所述X射线探测器(10)包括平行于所述闪烁设备(12)的表面法向向量的主轴(16);

其中,所述闪烁设备(12)包括具有多个凹槽(20)的晶片衬底(18),所述多个凹槽彼此间隔开;

其中,所述凹槽(20)中的每个凹槽沿着从所述闪烁设备(12)的第一侧(13)到所述晶片衬底(18)中的第一方向(21)延伸到一深度(22);

其中,所述凹槽(20)中的每个凹槽至少部分地填充有闪烁材料;

其中,所述多个凹槽(20)中的至少部分凹槽的所述第一方向(21)与所述主轴(16)不同,使得所述多个凹槽(20)中的至少部分凹槽相对于所述主轴(16)被倾斜;并且

其中,被布置在所述闪烁设备(12)的中心区域(24)中的凹槽(20)的所述第一方向(21)与所述主轴(16)之间的角度小于被布置在所述闪烁设备(12)的外部区域(26)中的凹槽(20)的所述第一方向(21)与所述主轴(16)之间的角度。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器,

其中,被布置在所述外部区域(26)中的凹槽(20)与被布置在所述中心区域(24)中的凹槽(20)相比较相对于所述主轴(16)更多地被倾斜。

3.根据权利要求1或2中的一项所述的X射线探测器(10),

其中,所述闪烁设备(12)包括具有平行于所述主轴(16)的第一方向(21a)的至少一个凹槽(20a);并且

其中,所述至少一个凹槽(20a)被布置在所述闪烁设备(12)的中心区域(24)中。

4.根据前述权利要求中的一项所述的X射线探测器(10),

其中,所述凹槽(20)的所述第一方向(21)与所述主轴(16)之间的角度随着所述凹槽(20)到所述闪烁设备(12)的中心区域(24)的距离增加而增加。

5.根据前述权利要求中的一项所述的X射线探测器(10),

其中,所述凹槽(20)中的每个凹槽完全地填充有闪烁材料。

6.根据前述权利要求中的一项所述的X射线探测器(10),

其中,每个凹槽(20)沿着纵向延伸方向(27)被划分为多个部分(28)。

7.根据前述权利要求中的一项所述的X射线探测器(10),

其中,所述凹槽(20)中的至少部分凹槽具有矩形、梯形、管状、圆柱形、圆锥形或不对称形状。

8.根据前述权利要求中的一项所述的X射线探测器(10),

其中,所述探测器(10)是平面探测器。

9.根据前述权利要求中的一项所述的X射线探测器(10),

其中,所述晶片衬底(18)包括硅;和/或

其中,所述闪烁材料包括以下中的至少一项:CsJ、NaJ、CsI(Tl)、CsI(Na)、CsI(纯)、CsF、KI(Tl)、LiI(Eu)和硫氧化钆。

10.根据前述权利要求中的一项所述的X射线探测器(10),

其中,所述凹槽(20)中的每个凹槽具有0.5mm至5mm的深度(22);和/或

其中,所述凹槽(20)中的每个凹槽具有1μm至200μm的宽度(23)。

11.根据前述权利要求中的一项所述的X射线探测器(10),

其中,所述凹槽(20)中的每个凹槽具有沿着纵向延伸方向(27)的长度(25),所述长度(25)对应于所述光探测器(14)的单个光敏像素(15)的长度。

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