[发明专利]晶片的边缘抛光装置及方法

说明书

本发明的技术问题在于提供一种边缘抛光装置，其具备对于附着在卡盘工作台上的浆料残渣的清洗效果高的清洗机构。解决方案为：边缘抛光装置(1)具备：卡盘工作台(10)，吸附保持晶片(W)；旋转驱动机构，使卡盘工作台(10)旋转；边缘抛光单元(20)，一边将浆料供给至以被卡盘工作台(10)吸附保持的状态旋转的晶片(W)，一边抛光晶片的边缘；及清洗单元(50)，去除卡盘工作台(10)上的浆料残渣。清洗单元(50)包含清洗头(52)，所述清洗头(52)具备高压喷射喷嘴及包围该高压喷射喷嘴的周围的刷子，使用清洗头(52)对卡盘工作台(10)进行高压清洗的同时进行刷子清洗。

技术领域

本发明涉及一种晶片的边缘抛光装置及方法，尤其涉及一种抛光加工时吸附保持晶片的背面的卡盘工作台的清洗机构。

背景技术

作为半导体器件的基板材料广泛使用硅晶片。硅晶片通过对单晶硅锭依次进行外周磨削、切片、研磨(lapping)、蚀刻、双面抛光、单面抛光、清洗等工序来制造。尤其在最近，为了制成除了晶片的正面和背面这两面以外，连边缘上也没有损伤缺陷的状态，在进行晶片的双面抛光之后进行边缘抛光正在成为主流。专利文献1中记载了能够同时对正面和背面这两面侧的端面和外周表面进行抛光加工的工件外周部的抛光装置。

在晶片的边缘抛光工序中，附着在吸附保持晶片的卡盘工作台上的浆料残渣成为问题。残留在卡盘工作台上的磨粒成为损伤晶片背面的原因，这是因为，若在卡盘工作台上残留有磨粒的状态下夹持晶片的背面，则会在该背面产生损伤缺陷。如上述那样，在进行双面抛光之后进行边缘抛光的情况下，在进行了边缘抛光工序之后只有仅抛光晶片表面的单面抛光工序，而没有改善晶片背面的品质的机会，因此在边缘抛光工序中产生的晶片背面的损伤缺陷尤其成为问题。

为了解决上述问题，期望去除附着在卡盘工作台上的浆料残渣。关于卡盘工作台的清洗方法，例如专利文献2中记载了一种吸附支承面的清洗装置，该吸附支承面的清洗装置通过将纯水等清洗液以高压从喷嘴向半导体晶片加工机的载板的卡盘面(吸附支承面)喷射来清洗卡盘面。在该清洗装置中，吸附支承面朝向下方，被高压清洗液击出的杂质和清洗液一起落下，因此附着在吸附支承面的杂质不用刷子擦拭而被去除。根据专利文献2所记载的清洗装置，能够消除一边用低压水冲洗卡盘面一边用刷子清洗的现有技术的清洗力不足，并且能够解决无法去除比刷子的毛更细小的杂质的问题或杂质只是在卡盘面上移动而不会被去除的问题。

并且，在专利文献3中记载了一种晶片倒角装置，其具备清洗卡盘工作台的上表面的工作台清洗单元。工作台清洗单元由排列在一直线上的清洗液喷嘴、气体喷嘴及清洗刷子构成，在从清洗喷嘴喷射清洗液的状态下，工作台清洗单元沿着卡盘工作台的上表面往复移动，由此清洗刷子在卡盘工作台的上表面滑动，因此能够对卡盘工作台的上表面进行冲洗及刷子清洗。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-297842号公报

专利文献2：日本特开平10-256199号公报

专利文献3：日本特开2000-138191号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，专利文献2中记载的将高压的清洗液喷射到吸附支承面来进行清洗的清洗方法，在吸附支承面朝向下方的情况下是有效的，但在吸附支承面朝向上方的情况下，存在仅是浆料残渣的位置稍微移动的程度而无法充分地去除浆料残渣的问题。并且，专利文献3中记载的清洗方法是对卡盘工作台的上表面进行冲洗及刷子清洗的清洗方法，但是，因为清洗液喷嘴及清洗刷子排列在一直线上，并且通过在与它们的排列方向垂直的方向上使清洗刷子往复移动来进行刷子清洗，因此存在去除堆积在圆形的卡盘工作台的外周部的浆料残渣的效果小的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种使用对附着在卡盘工作台上的浆料残渣的清洗效果高的清洗机构的晶片的边缘抛光装置及方法。