[发明专利]层叠基板和电子器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780070626.1 申请日: 2017-11-10
公开(公告)号: CN109982834B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 山田和夫;长尾洋平 申请(专利权)人: AGC株式会社
主分类号: B32B3/02 分类号: B32B3/02;B32B17/00;G02F1/1333
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李书慧;赵青
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 层叠 电子器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种层叠基板,其特征在于,依次具备支撑基材、密合层和基板,

所述密合层的所述基板侧的面具有与所述基板接触的中央区域和不与所述基板接触的端部区域,将所述中央区域的厚度设为T1,将所述端部区域的厚度设为T2时,满足“T1×2/3>T2”且在所述中央区域与端部区域之间具有阶差。

2.根据权利要求1所述的层叠基板,其中,所述密合层的中央区域T1的厚度为100μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的层叠基板,其中,具有端部经倒角的形状。

4.根据权利要求1所述的层叠基板,其特征在于,所述密合层的端面为凹状。

5.根据权利要求4所述的层叠基板,其特征在于,所述密合层的所述基板侧的面的整个面与所述基板接触。

6.根据权利要求4或5所述的层叠基板,其中,具有端部经倒角的形状。

7.一种电子器件的制造方法,具有如下工序:

构件形成工序,在权利要求1~6中任一项所述的层叠基板的所述基板形成电子器件用构件,得到带电子器件用构件的层叠基板,以及

分离工序,从所述带电子器件用构件的层叠基板除去所述支撑基材和所述密合层,得到具有所述基板和所述电子器件用构件的电子器件。

8.根据权利要求7所述的电子器件的制造方法,其中,所述电子器件用构件为低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。

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