[发明专利]含硼的硅基材料

权利要求书

1.一种陶瓷组件，包括：硅基层，所述硅基层包含含硅材料和掺杂硼的耐火化合物；

所述掺杂硼的耐火化合物按体积计占硅基层的0.001％至85％；

所述掺杂硼的耐火化合物包含掺杂有0.1摩尔％至10摩尔％的B₂O₃的金属氧化物，所述金属氧化物包括氧化锆、氧化铪、氧化铝、氧化钽、氧化铌、氧化镓、氧化铟、氧化镍，或它们的混合物；或者

所述掺杂硼的耐火化合物包括：

（a）具有下式的化合物：

Ln_2-xB_xO₃

式中，

Ln包括Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或它们的混合物；

x为大于0至1；或

（b）具有下式的化合物：

Ln_2-xB_xSi₂O₅

式中，

Ln包括Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或它们的混合物；

x为大于0至1；或

（c）具有下式的化合物：

Ln_2-xB_xSi₂O₇

式中，

Ln包括Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或它们的混合物；

x为大于0至1；或

（d）具有下式的化合物：

Ln_3-xB_xM_5-yB_yO₁₂

式中，

Ln包括Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或它们的混合物；

x为0至1.5；

M包括Ga、In、Al、Fe或它们的组合；

y为0至2.5；

x + y大于0；或

（e）具有下式的化合物：

Ln_4-x-zB_xD_zM_2-n-yA_nB_yO₉

式中，

Ln包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm或它们的混合物；

x为0至2；

D是La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或它们的混合物，且

D不同于Ln；

如果D是La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm或它们的混合物，则z为0至小于4；

如果D是Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或它们的混合物，则z为0至2；

M包括Ga、Al或它们的组合；

A包括Fe、In或它们的组合；

n为0至1；

y为0至1；

x + y大于0。

2.根据权利要求1所述的陶瓷组件，其中，所述掺杂硼的耐火化合物按体积计占硅基层的1％至60％。

3.根据权利要求1所述的陶瓷组件，其中，所述含硅材料是硅金属。

4.根据权利要求3所述的陶瓷组件，其中，热生长氧化物在硅基层上，且热生长氧化物层在1415℃以下的工作温度处保持非晶态。

5.根据权利要求1所述的陶瓷组件，其中，所述含硅材料包括硅化物。

6.根据权利要求5所述的陶瓷组件，其中，热生长氧化物在硅基层上，且热生长氧化物层在1485℃以下的工作温度处保持非晶态。

7.根据权利要求1所述的陶瓷组件，其中，所述陶瓷组件包括：

基底，其中，所述硅基层是定义基底表面的外层；和

基底表面上的环境障涂层。