[发明专利]剥离方法

权利要求书

1.一种用于剥离图案化半导体衬底上的有机膜的方法，其包含：

在一个步骤中以水性剥离剂组合物处理所述有机膜以移除所述有机膜；

其中，所述有机膜包括至少第一层和第二层，所述第一层在25℃在显影剂中具有至多0.01μm/分钟的溶解速率，且所述第二层在25℃在所述显影剂中具有大于0.01μm/分钟的溶解速率；

所述水性剥离剂组合物包含：

按所述组合物的重量计0.5％至25％的量的碱性化合物，其中，所述碱性化合物选自由四甲基氢氧化铵TMAH、2-羟基三甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵TEAH、四丙基氢氧化铵TPAH、四丁基氢氧化铵TBAH及其混合物所组成的组；

按所述组合物的重量计65％至95％的量的水；

按所述组合物的重量计0.1％至5％的量的腐蚀抑制剂化合物，其中，所述腐蚀抑制剂是四唑、三唑、苯并三唑、经取代的三唑或经取代的苯并三唑；及

按所述组合物的重量计0至5％的量的界面活性剂。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一层是经交联的。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述图案化半导体衬底包含至少一个组件，所述组件具有至多5微米的特征尺寸。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述图案化半导体衬底包含两个图案，所述两个图案通过至多200微米的间隔分开。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述图案化半导体衬底包含两组图案，且所述两组图案通过至多100毫米的间隔分开。

6.如权利要求1所述的方法，其中，在所述处理步骤之后，没有留下所述有机膜的膜残余物。

7.如权利要求1所述的方法，其中，在所述处理步骤之后，所述有机膜的残余物具有少于原始膜厚度的5％的厚度。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包含在所述处理步骤之后对所述图案化半导体衬底实施等离子体处理。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包含在所述处理步骤之后用冲洗溶剂冲洗所述图案化半导体衬底。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包含在所述冲洗步骤之后干燥所述图案化半导体衬底。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述图案化半导体衬底包含金属。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述腐蚀抑制剂是结构(I)的化合物

其中，

R¹选自由氢、经取代或未经取代的C₁-C₁₂直链或支链烷基、经取代或未经取代的C₅-C₁₂环烷基或杂环烷基、及经取代或未经取代的C₅-C₁₂芳基或杂芳基所组成的组；且

R²至R⁵各自独立地选自由氢、卤素、经取代或未经取代的C₁-C₁₂直链或支链烷基、经取代或未经取代的C₅-C₁₂环烷基或杂环烷基、及经取代或未经取代的C₅-C₁₂芳基或杂芳基所组成的组；或R²至R⁵的任何两个相邻基团和与其连接的环碳原子一起形成六元环。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述腐蚀抑制剂是

14.一种三维物体，其通过权利要求1-13中任一项所述的方法形成。