[发明专利]耐腐蚀组件和制造方法

权利要求书

1.耐腐蚀组件，包括：

a)陶瓷绝缘基底；

b)粘附到陶瓷绝缘基底的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率、至多100μm且至少500nm的平均晶粒度、和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％稀土化合物的组成；

c)小于1×10^-4的损耗角正切；和

d)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。

2.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其进一步包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少92的L*值。

3.如权利要求2所述的耐腐蚀组件，其进一步包括在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少94的L*值。

4.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其中所述陶瓷绝缘基底选自氧化铝、氮化铝、氮化硅、基于硅酸盐的材料、及其两种或更多种的混合物。

5.如权利要求4所述的耐腐蚀组件，其中所述稀土化合物选自氧化钇(Y₂O₃)、硅酸钇、氟化钇、氟氧化钇、铝酸钇、氮化钇、及其两种或更多种的组合。

6.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其中所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少100μm的厚度、至多0.5％的孔隙率、和至多50μm且至少1μm的平均晶粒度。

7.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其中所述白色耐腐蚀无孔外层进一步包括以基于稀土化合物总重量300ppm至20重量％范围加入到稀土化合物的烧结助剂。

8.如权利要求7所述的耐腐蚀组件，其中加入到稀土化合物的烧结助剂在基于稀土化合物总重量0.5重量％至5重量％的范围中。

9.如权利要求7所述的耐腐蚀组件，其中所述烧结助剂为选自ZrO₂、HfO₂和CeO₂的至少一种材料。

10.如权利要求8所述的耐腐蚀组件，其中所述烧结助剂为ZrO₂并且以基于稀土化合物总重量1重量％的量加入到稀土化合物。

11.如权利要求1所述的耐腐蚀组件，其进一步包括包埋在陶瓷绝缘基底中或以层的形式在陶瓷绝缘基底和白色耐腐蚀无孔外层之间的至少一个插入层，其中所述至少一个插入层为选自稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐、及其两种或更多种的混合物的至少一种材料。

12.如权利要求11所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层为氧化镱(Yb₂O₃)。

13.如权利要求12所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括以基于氧化镱总重量300ppm至20重量％的范围加入氧化镱的烧结助剂。

14.如权利要求11所述的耐腐蚀组件，其中所述至少一个插入层进一步包括导电材料。

15.配置成在制作半导体芯片中使用的组装体，所述组装体包括：

反应器；和，

权利要求1所述的耐腐蚀组件。

16.如权利要求15所述的组装体，其中所述反应器为配置用于等离子体蚀刻的等离子体蚀刻反应器，并且所述耐腐蚀组件为配置成与等离子体蚀刻反应器可拆卸接合的盖体；和，其中所述盖体具有小于1x 10^-4的损耗角正切。

17.如权利要求15所述的组装体，其中所述反应器为配置成通过卤素气体进行现场清洁的沉积反应器并且所述耐腐蚀组件为加热器。