[发明专利]用于感测分布式负载电流的设备和方法

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

第一电路；

第二电路；

功率门控电路，被配置为生成流过所述第一电路的第一负载电流以及流过所述第二电路的第二负载电流；以及

电流传感器，被配置为生成与所述第一负载电流和所述第二负载电流相关的第一信号，其中所述电流传感器包括第一环形振荡器，所述第一环形振荡器包括：

一个或多个反相器的第一集合，被耦合至在所述功率门控电路与所述第一电路之间的第一节点；以及

一个或多个反相器的第二集合，被耦合至在所述功率门控电路与所述第二电路之间的第二节点。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第一环形振荡器被配置为生成具有第一频率的第二信号，所述第一频率同第一电压轨处的第一轨电压与所述第一节点处的第一电压之间的第一电压差值相关、以及同所述第一轨电压与所述第二节点处的第二电压之间的第二电压差值相关，其中所述第一信号是基于所述第二信号的。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中所述功率门控电路包括：

一个或多个晶体管的第一集合，被耦合在所述第一电压轨与所述第一节点之间，其中所述一个或多个晶体管的第一集合被配置为基于控制信号来生成流过所述第一电路的所述第一负载电流；以及

一个或多个晶体管的第二集合，被耦合在所述第一电压轨与所述第二节点之间，其中所述一个或多个晶体管的第二集合被配置为基于所述控制信号来生成流过所述第二电路的第二负载电流。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中晶体管的所述第一集合和所述第二集合均包括p沟道金属氧化物半导体(PMOS)场效应晶体管(FET)。

5.根据权利要求3所述的电子设备，其中晶体管的所述第一集合和所述第二集合均包括n沟道金属氧化物半导体(PMOS)场效应晶体管(FET)。

6.根据权利要求2所述的电子设备，其中所述电流传感器包括第二环形振荡器，所述第二环形振荡器被配置为生成具有第二频率的第三信号，所述第二频率同所述第一轨电压与第二轨电压之间的第三电压差值相关，其中所述第一信号是基于所述第三信号的。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述电流传感器进一步包括：

第一频率至代码(FTC)转换器，被配置为生成与所述第一频率相关的第一数字信号；

第二频率至代码(FTC)转换器，被配置为生成与所述第二频率相关的第二数字信号；以及

减法器，被配置为基于所述第一数字信号与所述第二数字信号之间的差值来生成所述第一信号。

8.根据权利要求2所述的电子设备，其中所述电流传感器进一步包括频率至代码(FTC)转换器，所述频率至代码(FTC)转换器被配置为生成与所述第一频率相关的第一数字信号。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中所述频率至代码(FTC)转换器包括：

n位计数器，被耦合至所述反相器中的一个反相器的输入；

1位计数器的集合，分别被耦合至剩余反相器的输入；

n位触发器，被配置为基于时钟信号来锁存所述n位计数器的输出；以及

1位触发器的集合，被配置为基于所述时钟信号来分别锁存所述1位计数器的输出。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其中所述频率至代码(FTC)转换器进一步包括：

乘法器，被配置为通过乘以整数到所述n位触发器的锁存后的输出而生成与所述第一频率相关的粗调数字值；

异或门的集合，共同地生成所述第一频率的精调数字值，所述异或门的集合包括被耦合至所述n位触发器的最低有效位的相应第一输入、以及被配置为分别接收所述1位触发器的锁存后的输出的相应第二输入；以及

加法器，将所述粗调数字值加至所述精调数字值以生成所述第二信号。