[发明专利]表面声波元件封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201780071002.1 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN109964406A 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 河宗秀;金知澔 申请(专利权)人: 天津威盛电子有限公司
主分类号: H03H3/08 分类号: H03H3/08;H03H9/10;H03H9/125;H03H9/25
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 表面声波元件 封装 电极 纳米银膏 压电基板 基板 固化 基板设置 电连接 制造
【说明书】:

根据本发明的表面声波元件封装包括:表面声波元件,该表面声波元件包括压电基板并且包括在该压电基板上形成的IDT电极和多个电极;封装的基板,该封装的基板设置有分别对应于所述多个电极的多个端子,并且所述表面声波元件安装在所述封装的基板上;以及固化的纳米银膏,该固化的纳米银膏将所述多个电极与所述多个端子分别电连接。

技术领域

本发明涉及表面声波(SAW)器件封装和制造SAW器件封装的方法。

背景技术

随着通信行业的发展,无线通信产品逐渐小型化、质量提高、多功能化。根据这种趋势,需要在无线通信产品中使用的部件(例如,滤波器、双工器等)的小型化和多功能化。

如图1中所示,作为此类部件的示例,表面声波(SAW)器件包括作为压电单晶裸芯片的压电基板1、在压电基板1的顶表面上形成为具有梳状并且彼此面对的一对交叉指型换能器(IDT)电极2以及连接到该对IDT电极2的输入电极3和输出电极4。

当通过输入电极3施加电信号时,由于彼此面对的IDT电极2之间的重叠电极长度的压电效应而发生压电变形,使得由于压电变形而发生要被传送到压电基板1的SAW,并且该SAW被转换为电信号并通过输出电极4输出。这里,仅对由诸如IDT电极2的间隔、宽度和长度等的各种因素确定的特定频带中的电信号进行滤波。

由于器件特性由形成在SAW器件的压电基板1上的IDT电极2的宽度、长度、间隔等确定,因此当IDT电极2具有损坏或被诸如灰尘或污垢的微尺寸异物污染时,器件特性改变。因此,为了保护诸如IDT电极2等的SAW器件的SAW发生区域不受外部环境影响,需要各种形状的结构。

图2示出了用于保护SAW器件的IDT电极2等免受外部环境影响的现有SAW器件封装的结构的示例。

如图2中所示,现有的SAW器件封装包括陶瓷基板7,在该陶瓷基板7上使用倒装芯片键合法安装SAW器件,并且该陶瓷基板7包括与输入电极3和输出电极4相对应的端子6、与输入电极3和输出电极4以及端子6相接的凸起5、以及覆盖SAW器件的模制部分8。通过凸起5提供用于诸如IDT电极2等的SAW发生区域的空间,并且模制部分8执行保护SAW发生区域免受外部环境影响的功能。

为了制造这种SAW器件封装,首先,使用金(Au)或Au合金在SAW器件的输入电极3和输出电极4上形成凸起5,然后将其上形成有凸起5的SAW器件安装在陶瓷基板7上,使得凸起5和端子6彼此接合。在如上所述的在电极3和4上形成凸起5的工艺和将凸起5接合到端子6的工艺中,使用具有诸如复杂工艺和高成本的缺点的超声接合或热固性接合。

此外,通常,这种SAW器件封装被制造为晶圆级封装并且经历切割工艺。这里,陶瓷基板7在切割工艺中由于其高脆性而容易变脆,使得切割工艺复杂并且导致成本增加。

发明内容

【技术问题】

本发明旨在提供一种无需超声接合或热固性接合而能够通过简单且廉价的工艺来制造的表面声波(SAW)器件封装及其制造方法。

本发明还涉及提供一种能够降低切割工艺的成本的SAW器件封装及其制造方法。

【技术方案】

本发明的一个方面提供一种表面声波(surface acoustic wave,SAW)器件封装,该SAW器件封装包括:SAW器件,该SAW器件包括压电基板并且包括在所述压电基板上形成的交叉指型换能器(IDT)电极和多个电极;封装基板,该封装基板包括分别对应于所述多个电极的多个端子并且所述SAW器件安装在所述封装基板上;以及固化的纳米银膏,其将所述多个电极分别电连接至所述多个端子。

在所述封装基板上可以形成有分隔件,该分隔件围绕每个所述端子并围绕所述纳米银膏。

所述分隔件可以由绝缘材料形成。

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