[发明专利]化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法

权利要求书

1.一种掺杂有Zn的InP单晶基板，其为直径为75mm且仅掺杂有Zn浓度为5×10¹⁸cm^-3以上的Zn的InP单晶基板，其特征在于：在晶圆状基板的表面的中心部的点与距晶圆外周5mm的内侧的圆周上的任意点的共计2点测量点，Zn的电性活化率超过85％，上述基板的主表面中的Zn的电性活化率的偏差为15％以下。

2.根据权利要求1所述的掺杂有Zn的InP单晶基板，其中，上述基板的主表面中的平均错位密度为500cm^-2以下。

3.一种掺杂有Zn的InP单晶基板的制造方法，为权利要求1或2所述的掺杂有Zn的InP单晶基板的制造方法，其包括：

一面以转速10rpm以下使InP单晶锭旋转，一面至少在上述InP单晶锭的冷却时将1020℃至820℃之间的200℃的温度差在2～7.5分钟的时间内进行冷却；及

通过将上述InP单晶锭切成薄板状而制成InP单晶基板。

4.根据权利要求3所述的掺杂有Zn的InP单晶基板的制造方法，其包括：在上述InP单晶锭的冷却时使成长用坩埚远离加热器发热部。

5.根据权利要求3所述的掺杂有Zn的InP单晶基板的制造方法，其进而包括：为了在上述InP单晶锭的冷却时使成长用坩埚远离加热器发热部，而使之向炉内的下部下降。

6.根据权利要求4所述的掺杂有Zn的InP单晶基板的制造方法，其进而包括：为了在上述InP单晶锭的冷却时使成长用坩埚远离加热器发热部，而使之向炉内的下部下降。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的掺杂有Zn的InP单晶基板的制造方法，其进而包括：

在具有石墨制且厚度3～6mm的在直体状圆筒的上壁直接连接有圆锥形筒的构造的热挡板的炉中，利用通过直接掺杂Zn来进行的液封直拉(LEC)法提拉掺杂有Zn的InP单晶锭。

8.根据权利要求7所述的掺杂有Zn的InP单晶基板的制造方法，其进而包括：在上述InP单晶锭的冷却时，在通过LEC法来进行的提拉结束后，在上述热挡板的内侧且在热挡板与InP单晶锭不接触的情况下一面使InP单晶锭旋转一面进行冷却。