[发明专利]可植入的电接触组件

权利要求书

1.一种能植入的电接触组件，所述接触组件具有至少一个电极本体组件，其中，所述至少一个电极本体组件除能够自由接近的电极表面以外完全被生物相容的电绝缘材料包围，

其特征在于，所述电极本体组件具有堆叠状的层复合结构，所述层复合结构设置通过扩散阻挡层与铱层连接的至少一个金层，

所述堆叠状的层复合结构除所述铱层的背离所述层复合结构的至少一个表面区域以外完全被碳化硅层套上，以及

所述碳化硅层具有背离所述堆叠状的层复合结构的碳化硅层表面，所述生物相容的电绝缘材料间接或者直接地邻接所述碳化硅层表面。

2.根据权利要求1所述的接触组件，

其特征在于，所述铱层的不被所述碳化硅层覆盖的至少一个表面区域相应于所述至少一个电极表面。

3.根据权利要求1所述的接触组件，

其特征在于，铱氧化物层至少施加到所述铱层的不被所述碳化硅层覆盖的至少一个表面区域上，所述铱氧化物层具有背离所述铱层并且相应于所述至少一个电极表面的、能够自由接近的表面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的接触组件，

其特征在于，所述生物相容的电绝缘材料由聚合物组成。

5.根据权利要求4所述的接触组件，

其特征在于，所述聚合物为以下聚合物中的一种：聚酰亚胺、液晶聚合物(LCP)、聚对二甲苯或者PDMS。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的接触组件，

其特征在于，所述扩散阻挡层由过渡金属制成，所述过渡金属具有一晶格常数，所述晶格常数小于金的晶格常数并且大于铱的晶格常数。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的接触组件，

其特征在于，所述扩散阻挡层为铂层或者钛层。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的接触组件，

其特征在于，被所述碳化硅层包围的、堆叠状的层复合结构至少具有以下边界面：SiC/Au，Au/Pt，Pt/Ir，以及，在所述边界面之间的复合结构主要通过内聚的键合力来表征。

9.根据权利要求8所述的接触组件，

其特征在于，在所述边界面之间，内聚的键合力的至少70％的键合比例占主导。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的接触组件，

其特征在于，至少所述扩散阻挡层密封地被所述金层、碳化硅层和铱层包围。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的接触组件，

其特征在于，所述背离所述堆叠状的层复合结构的碳化硅层表面至少局部地以由类金刚石(DLC)制成的促进粘附的层涂覆。

12.一种能植入的电插接式连接器的插头件或者插座件，所述插头件或者插座件包括至少一个根据权利要求1至11中任一项所述的接触组件，

其特征在于，包围所述至少一个电极本体组件的、生物相容的电绝缘材料限界本体的表面，所述电极本体组件的能够自由接近的至少一个电极表面以及能够自由接近的至少一个另外的电极表面间接或者直接地邻接所述本体的表面，以及，两个电极表面通过在所述本体内部延伸的电连接部电连接。

13.根据权利要求12所述的插头件或者插座件，

其特征在于，所述电连接部与所述电极本体组件的金层连接，

所述电连接部被碳化硅层包围，所述碳化硅层被所述本体的生物相容的电绝缘材料包围，以及

能够自由接近的另外的电极表面为电极本体的表面，其中，所述电极本体除所述能够自由接近的另外的电极表面以外被所述碳化硅层包围。

14.根据权利要求13所述的插头件或者插座件，

其特征在于，所述电极本体组件的电极本体、电连接部以及金层一件式地连接并且由金制成。