[发明专利]经由物理气相沉积沉积非晶硅层或碳氧化硅层的方法

权利要求书

1.一种在物理气相沉积腔室中处理基板的方法，所述基板设置在基板支撑件的顶部上，所述方法包含以下步骤：

(a)在所述物理气相沉积腔室的处理区域内由工艺气体形成等离子体，其中所述工艺气体包含惰性气体和含氢气体，以在所述物理气相沉积腔室的所述处理区域内从靶材的表面溅射硅；和

(b)在所述基板上的第一层的顶部上沉积非晶硅层，其中在1.25kW、2kW或3kW的恒定源功率下调整所述含氢气体的流动速率以调节经沉积的非晶硅层的光学性质。

2.如权利要求1所述的方法，其中只调整所述含氢气体的流动速率，以调节以下至少一者：

所述非晶硅层的消光系数(k值)介于0.1与0.41之间；或

所述非晶硅层的折射率(n值)介于4.22与3.54之间。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述工艺气体由所述惰性气体和所述含氢气体所组成。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述工艺气体基本上由所述惰性气体和所述含氢气体所组成。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中以下至少一者：

以50至1000sccm的流动速率提供所述惰性气体；或

以2至100sccm的流动速率提供所述含氢气体。

6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述含氢气体是氢(H₂)气体、氨(NH₃)或具有化学式C_nH_2n+2的烷烃中的一者。

7.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中以下至少一者：

所述物理气相沉积腔室的所述处理区域内的压力在沉积所述非晶硅层的期间为3至10毫托；或

所述物理气相沉积腔室的所述处理区域内的温度在沉积所述非晶硅层的期间为25至400摄氏度。

8.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中由工艺气体形成等离子体的步骤进一步包含以下步骤：将来自功率源的源功率施加至所述物理气相沉积腔室以点燃所述工艺气体。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述功率源以100至250kHz的脉冲频率以及10％至40％的工作周期提供脉冲化直流功率。

10.一种在物理气相沉积腔室中处理基板的方法，所述基板设置在基板支撑件的顶部上，所述方法包含以下步骤：

(a)在所述物理气相沉积腔室的处理区域内由工艺气体形成等离子体，其中所述工艺气体包含惰性气体和含氢气体，以在所述物理气相沉积腔室的所述处理区域内从靶材的表面溅射源材料；和

(b)在所述基板的顶部上沉积一层碳、金属氧化物、氧化铝(AlO_x)、氮化铝(AlN)、氮氧化铝(AlON)、二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)、氧化钽(TaO_x)、氧化锡(SnO_x)、氧化锡硅(SnSiO_x)或氮化钛(TiN)中的一者，其中在1.25kW、2kW或3kW的恒定源功率下调整所述含氢气体的流动速率以调节经沉积的层的光学性质、应力、膜形态和表面性质。

11.一种在物理气相沉积腔室中处理基板的方法，所述基板设置在基板支撑件的顶部上，所述方法包含以下步骤：

(a)在所述物理气相沉积腔室的处理区域内由工艺气体形成等离子体，其中所述工艺气体包含惰性气体和一氧化碳(CO)气体，以在所述物理气相沉积腔室的所述处理区域内从靶材的表面溅射硅；和

(b)通过调节所述物理气相沉积腔室的压力和温度中的至少一者，以在所述基板的顶部上沉积碳氧化硅(SiOC)层，所述碳氧化硅层具有介于1.67与2.3g/cm³之间的密度。