[发明专利]核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜

权利要求书

1.一种核壳粒子，其具有含有III族元素及V族元素的核、覆盖所述核的表面的至少一部分的第1壳、覆盖所述第1壳的至少一部分的第2壳以及在最表面的至少一部分的配位性分子，所述核壳粒子中，

通过X射线光电子能谱分析至少检测出硅，

根据X射线光电子能谱分析求出的所述硅相对于所述核中所包含的所述III族元素的摩尔比为3.1以下。

2.根据权利要求1所述的核壳粒子，其中，

根据X射线光电子能谱分析求出的所述硅相对于所述核中所包含的所述III族元素的摩尔比为1.6以下。

3.根据权利要求1所述的核壳粒子，其中，

根据X射线光电子能谱分析求出的所述硅相对于所述核中所包含的所述III族元素的摩尔比为1.2以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的核壳粒子，其中，

所述核中所包含的所述III族元素为In，所述核中所包含的所述V族元素为P、N及As中的任意。

5.根据权利要求4所述的核壳粒子，其中，

所述核中所包含的所述III族元素为In，所述核中所包含的所述V族元素为P。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的核壳粒子，其中，

所述核还含有II族元素。

7.根据权利要求6所述的核壳粒子，其中，

所述核中所包含的所述II族元素为Zn。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的核壳粒子，其中，

所述第1壳包含II族元素或III族元素，

其中，当所述第1壳包含III族元素时，所述第1壳中所包含的III族元素为与所述核中所包含的III族元素不同的III族元素。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的核壳粒子，其中，

所述第1壳为含有II族元素及VI族元素的II-VI族半导体或含有III族元素及V族元素的III-V族半导体，

其中，当所述第1壳为所述III-V族半导体时，所述III-V族半导体中所包含的III族元素为与所述核中所包含的III族元素不同的III族元素。

10.根据权利要求9所述的核壳粒子，其中，

当所述第1壳为所述II-VI族半导体时，所述II族元素为Zn，所述VI族元素为Se或S，

当所述第1壳为所述III-V族半导体时，所述III族元素为Ga，所述V族元素为P。

11.根据权利要求9所述的核壳粒子，其中，

所述第1壳为所述III-V族半导体，所述III族元素为Ga，所述V族元素为P。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的核壳粒子，其中，

所述第2壳为含有II族元素及VI族元素的II-VI族半导体或含有III族元素及V族元素的III-V族半导体。

13.根据权利要求12所述的核壳粒子，其中，

所述第2壳为所述II-VI族半导体，所述II族元素为Zn，所述VI族元素为S。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的核壳粒子，其中，

所述核、所述第1壳及所述第2壳均为具有闪锌矿结构的晶系。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的核壳粒子，其中，

在所述核、所述第1壳及所述第2壳中，所述核的带隙最小，且所述核及所述第1壳显示出样式1型的能带结构。