[发明专利]铝电解电容器用电极的制造方法

说明书

在电解电容器用电极的制造中，在水合步骤中，将铝电极浸渍在温度为80℃以上的水合处理液中从而在铝电极上形成水合膜后，在化学转化步骤中，对铝电极进行化学转化直到400V以上的化学转化电压为止。水合处理液包含水合抑制剂。水合步骤中形成的水合膜的厚度，设在从铝电极的表面起到100μm为止的深度的范围形成的水合膜的平均厚度为t1，设在距离铝电极的表面100μm以上的深的部分形成的水合膜的平均厚度s为t2时，满足以下条件：0.6≤t2/t1≤1。

技术领域

本发明涉及对铝电极进行化学转化的铝电解电容器用电极的制造方法。

背景技术

作为中高压用的铝电解电容器的阳极使用的铝电解电容器用电极的制造方法，已知在进行化学转化处理之前，进行纯水煮沸铝电极的步骤。通过进行纯水煮沸，能够将化学转化所需要的消耗电力抑制得低，而且能够使化学转化后的静电电容成为高电容。

然而，铝与水的反应性高，因此，纯水煮沸时的铝电极与水的水合反应激烈。因此，通过纯水煮沸生成的水合膜是多孔的，存在很多缺陷。因此，在其后的化学转化步骤中生成的化学转化膜中，缺陷会残存。该缺陷，在化学转化电压小于400V时，能够通过去极化处理去除，但是在化学转化电压为400V以上时，化学转化膜的厚度厚，因此，大多无法通过去极化处理去除缺陷。因此，在化学转化电压为400V以上的铝电解电容器用电极中，泄漏电流容易增大。

另外，在纯水煮沸时，铝电极与水的水合反应激烈，因此，在纯水煮沸中会剧烈地产生气泡。因此，作为中高压用的铝电极，使用形成有隧道状的坑(pit)的蚀刻箔时，因激烈的水合反应生成的水合物而在表面上发生坑被堵塞，进而，因为该堵塞或产生的气泡，在坑的深处有水合反应难以进行的趋势。另外，当作为铝电极，使用在铝芯材的表面上形成有由铝粉体的烧结层构成的多孔层而得到的多孔性铝电极时，在铝电极表面上，激烈的水合反应进行，因此所生成的水合物会引起表面附近被堵塞。另外，因为该堵塞或产生的气泡，多孔层的深处(深的部分)的水合反应难以进行，会不适当地形成水合膜。当发生这样的事态时，在其后的化学转化时，难以将多孔层内部所产生的气体排出，多孔层被破坏，从而铝电解电容器用电极的泄漏电流增大。

另一方面，提出了一种电解电容器用铝电极的制造方法，其包含在纯水煮沸步骤之后，使有机酸附着在水合膜表面的步骤(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第5490446号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，专利文献1中记载的技术是用于当在化学转化步骤中使用了磷酸系化学转化液时，利用有机酸来抑制水合膜溶解的技术，无法减少纯水煮沸步骤中所生成的水合膜中的缺陷。因此，即使追加步骤，也难以降低泄漏电流。

鉴于以上的问题点，本发明的技术问题在于提供一种能够降低泄漏电流的铝电解电容器用电极的制造方法。

用于解决技术问题的手段

为了解决上述技术问题，本发明的铝电解电容器用阳极箔的制造方法的特征在于，具有：水合步骤，将铝电极浸渍在水合处理液中从而在上述铝电极上形成水合膜，上述铝电极在铝芯部上设置有每1层200μm～50000μm的厚度的多孔层，上述水合处理液包含水合抑制剂且温度为80℃以上；和化学转化步骤，在上述水合步骤之后，对上述铝电极进行化学转化直到400V以上的化学转化电压为止，上述水合步骤中形成的上述水合膜的厚度，设在从上述铝电极的表面起到100μm为止的深度的范围形成的水合膜的平均厚度为t1，设在距离上述铝电极的表面100μm以上的深的部分形成的水合膜的平均厚度为t2时，满足以下条件：

0.6≤t2/t1≤1。