[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种包括金属氧化物的半导体装置，该半导体装置包括：

栅电极；

所述栅电极上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的所述金属氧化物；

所述金属氧化物上的一对电极；以及

所述金属氧化物上的第二绝缘膜，

其中，所述金属氧化物包括源极区域、漏极区域、第一区域、第二区域以及第三区域，

所述源极区域与所述一对电极的一方接触，

所述漏极区域与所述一对电极的另一方接触，

所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域都沿着沟道长度方向夹在所述源极区域和所述漏极区域之间，

所述第二区域沿着沟道宽度方向夹在所述第一区域和所述第三区域之间，

所述第一区域及所述第三区域都包括所述金属氧化物的端部，

并且，在沿着沟道长度方向的长度中，所述第二区域的长度小于所述第一区域的长度或所述第三区域的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中在沿着沟道长度方向的长度中，所述第二区域的长度大于0μm且小于4μm，

并且所述第一区域的长度或所述第三区域的长度大于所述第二区域的长度的3倍且小于所述金属氧化物的长度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中从所述源极区域到所述漏极区域的最短路径包括在所述第二区域中。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述金属氧化物包括第一金属氧化物以及接触于所述第一金属氧化物的顶面的第二金属氧化物，

所述第一金属氧化物及所述第二金属氧化物分别包含In、元素M(M是镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨或镁)、Zn，

并且所述第一金属氧化物具有其结晶性低于所述第二金属氧化物的区域。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述第一金属氧化物及所述第二金属氧化物分别具有对于所述In、所述M及所述Zn的原子个数的总和的所述In的含量为40％以上且50％以下的区域以及所述M的含量为5％以上且30％以下的区域。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中在所述In的原子个数比为4的情况下，所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物中的所述M的原子个数比为1.5以上且2.5以下，并且所述Zn的原子个数比为2以上且4以下。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中在所述In的原子个数比为5的情况下，所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物中的所述M的原子个数比为0.5以上且1.5以下，并且所述Zn的原子个数比为5以上且7以下。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中在利用XRD分析对所述金属氧化物进行测量时，在所述第一金属氧化物中观察不到2θ＝31°附近的峰值并在所述第二金属氧化物中观察到2θ＝31°附近的峰值。