[发明专利]研磨用组合物在审
申请号: | 201780072039.6 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN109996853A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 土屋公亮;浅田真希 | 申请(专利权)人: | 福吉米株式会社 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14;B24B37/00;C09G1/02;H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨用组合物 表面保护剂 纤维素衍生物 碱性化合物 表面缺陷 研磨 分散剂 分散性 乙烯醇 磨粒 申请 | ||
本发明提供一种研磨用组合物,其是包含纤维素衍生物的组成,且能有效降低研磨后的表面缺陷。本申请提供一种研磨用组合物,其包含磨粒、碱性化合物及表面保护剂。上述表面保护剂包含纤维素衍生物与乙烯醇系分散剂。上述表面保护剂的分散性参数α低于100。
技术领域
本发明涉及研磨用组合物。本申请要求基于2016年11月22日提出申请的日本国专利申请2016-226666号的优先权,并将该申请的全部内容引入本说明书中作为参照内容。
背景技术
对于金属或半金属、非金属、其氧化物等的材料表面,实施使用含有磨粒的研磨用组合物的研磨。例如,在半导体制品的制造等所使用的硅基板的表面一般是经由打磨(lapping)工序与拋光(polishing)工序来加工成高品位的镜面。上述拋光工序典型上包括预拋光工序与精拋光工序(精研磨工序)。作为关于在研磨硅晶圆等的半导体基板的目的上主要所使用的研磨用组合物的技术文献,可举出如专利文献1、2。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国专利申请公开2012-89862号公报
专利文献2:日本国专利申请公开2015-124231号公报
发明内容
对于精研磨(finish polishing)工序所使用的研磨用组合物要求实现在研磨后雾度低且表面缺陷少的表面的性能。上述精研磨工序是例如可为硅晶圆等的半导体基板其他基板的精研磨工序。用于该用途的研磨用组合物大多为包含磨粒及水,且在保护研磨对象物表面或提升湿润性等的目的上还包含水溶性高分子者。其中作为通用的水溶性高分子,可举出羟乙基纤维素(HEC)。
然而,HEC所代表的纤维素衍生物由于是将属于天然物的纤维素作为原料,故品质容易参差不齐。因此,以往包含纤维素衍生物的组成的研磨用组合物难以精度良好地抑制可能成为表面缺陷原因的微细聚集。专利文献1、2中虽然记载了使用HEC的研磨用组合物中去降低表面缺陷的技术,但即便通过该技术,仍有无法充分对应关于在研磨后的表面品质上近年来所要求的程度的情况。
因此,本发明的目的在于提供一种研磨用组合物,其是包含纤维素衍生物的组成,且能有效降低研磨后的表面缺陷。
由本说明书所提供的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物及表面保护剂。前述表面保护剂包含纤维素衍生物与乙烯醇系分散剂。在此,前述表面保护剂的分散性参数α低于100。通过此种研磨用组合物,可活用因使用纤维素衍生物所得的优点,且可有效降低研磨后的表面缺陷。该研磨用组合物可有效降低例如被称为无法清除光点缺陷(LPD-N,LightPoint Defect Non-cleanable)的通过研磨、清洗、干燥等的处理而仍无法解決的缺陷。
前述纤维素衍生物的重均分子量(Mw)可设为例如5×104以上且低于50×104。通过Mw处于上述范围内的纤维素衍生物时,有可抑制分散性参数α,且适当发挥保护研磨对象物或提升湿润性的功能的倾向。
前述乙烯醇系分散剂的Mw例如可以设为前述纤维素衍生物的Mw的90%以下。通过此种构成,有使用乙烯醇系分散剂所得的分散性参数α的降低效果进一步良好得到发挥的倾向。
前述乙烯醇系分散剂的含量相对于前述纤维素衍生物100g例如可以设为0.1g以上且80g以下。在此种组成中,可适合地发挥组合纤维素衍生物与乙烯醇系分散剂的效果。
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