[发明专利]用于加工硅基光伏器件的方法

权利要求书

1.一种用于加工具有掺杂硅区的硅基光伏器件的方法，所述掺杂硅区以至少1e¹⁶个原子/cm³的氢浓度被掺杂，该方法包括以下步骤：

(a)设置所述硅基光伏器件，其中，所述硅基光伏器件包括氢；

(b)在温度高于600℃的环境中对所述硅基光伏器件的至少一部分进行热处理，使得氢朝着所述掺杂硅区中的至少一个掺杂硅区迁移，以使所述至少一个掺杂硅区内的氢浓度增加到氢对该区的电特性造成劣化的最小氢浓度以上；

(c)按下述方式横跨所述硅基光伏器件的至少一部分施加电场：通过所述电场将带电氢原子驱离所述至少一个掺杂硅区；

其中：

进行步骤(b)以使氢原子分布在所述至少一个掺杂硅区内；

步骤(c)包括以下步骤：横跨所述硅基光伏器件施加正向偏压电场，以促使带电原子氢漂离具有高原子氢浓度的区域；以及

进行步骤(c)，以使氢迁移出所述至少一个掺杂硅区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，按下述方式执行步骤(c)：带负电氢原子漂离所述硅基光伏器件的p型区，并且带正电氢原子漂离所述硅基光伏器件的n型区。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，按第一时段施加第一强度的电场，并且按第二时段施加第二强度的电场。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电场是脉冲场。

5.一种用于加工硅基光伏器件的方法，所述硅基光伏器件具有掺杂硅区，所述掺杂硅区以至少1e¹⁶个原子/cm³的氢浓度被掺杂，该硅基光伏器件包括：

第一硅掺杂区，该第一硅掺杂区的掺杂浓度低于掺杂阈值；

第二硅掺杂区，该第二硅掺杂区的掺杂浓度高于所述掺杂阈值；以及

介电质区；

其中，所述第一硅掺杂区、所述第二硅掺杂区以及所述介电质区包含在氢化步骤期间引入的原子氢；相应的氢浓度为至少1e¹⁶个原子/cm³；

其中，所述方法包括以下步骤：在温度高于150℃的环境中处理所述硅基光伏器件，使得原子氢遍及所述硅基光伏器件重新分布，并且所述第一硅掺杂区和所述第二硅掺杂区处的原子氢浓度下降至1e¹⁶个原子/cm³以下。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，处理所述硅基光伏器件的步骤使得在光浴期间或在以后的电场工作期间的光致劣化减少或消除。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，处理所述硅基光伏器件的步骤使得整个硅基光伏器件的原子氢浓度下降至1e¹⁶个原子/cm³以下。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，处理所述硅基光伏器件的步骤使得所述第一硅掺杂区和所述第二硅掺杂区内的氢原子浓度变得这些区处的氢致复合不再影响所述硅基光伏器件的性能。

9.根据权利要求5至8中的任一项所述的方法，其中，处理所述硅基光伏器件的步骤使得所述第一硅掺杂区和所述第二硅掺杂区内的氢原子浓度变得低于1e¹⁵个原子/cm³。