[发明专利]层合体

权利要求书

1.一种层合体，包括：包含嵌段共聚物的嵌段共聚物膜，所述嵌段共聚物包含满足以下条件1至条件3中的一个或更多个的聚合物链段A、以及与所述聚合物链段A不同的并且与所述聚合物链段A的表面能之差的绝对值为10mN/m或更小的聚合物链段B；以及

聚合物膜，所述聚合物膜形成为与所述嵌段共聚物膜接触，并且包含含有下式1的单体单元和下式3的单体单元的无规共聚物，

其中在所述无规共聚物中，式3的单体单元的体积分数在0.45至0.65的范围内，以及式1的单体单元的体积分数与式3的单体单元的体积分数之和为1；

条件1：在DSC分析中在-80℃至200℃的范围内显示出熔融转变峰或各向同性转变峰：

条件2：在XRD分析中在0.5nm^-1至10nm^-1的散射矢量q范围内显示出半值宽度在0.2nm^-1至0.9nm^-1的范围内的峰：

条件3：包含侧链，其中所述侧链中的成链原子的数目n与XRD分析中的散射矢量q满足以下方程式1：

[方程式1]

3nm^-1至5nm^-1＝nq/(2×π)

其中，n为所述成链原子的数目，以及q为其中在所述嵌段共聚物的X射线衍射分析中观察到峰的最小散射矢量、或者其中观察到最大峰面积的峰的散射矢量：

[式1]

其中，R为氢或具有1至4个碳原子的烷基，X为单键、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(＝O)-X₁-或-X₁-C(＝O)-，其中X₁为氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亚烷基、亚烯基或亚炔基，以及Y为包含连接有具有8个或更多个成链原子的侧链的环结构的一价取代基：

[式3]

其中，X₂为单键、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(＝O)-X₁-或-X₁-C(＝O)-，其中X₁为单键、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亚烷基、亚烯基或亚炔基，以及W为包含至少一个卤素原子的芳基。

2.根据权利要求1所述的层合体，还包括其中通过彼此以一定的距离设置在表面上的台面结构而形成有具有底部和两个侧壁的沟槽的基底，其中在所述沟槽中所述嵌段共聚物膜形成为与所述聚合物膜接触。

3.根据权利要求1所述的层合体，其中所述嵌段共聚物膜形成层状结构。

4.根据权利要求3所述的层合体，其中所述嵌段共聚物膜的厚度在1L至10L的范围内，其中L为所述层状结构的间距。

5.根据权利要求1所述的层合体，其中所述聚合物链段A包含具有8个或更多个成链原子的侧链。

6.根据权利要求5所述的层合体，其中所述聚合物链段A包含环结构并且所述环结构上取代有所述侧链。

7.根据权利要求5所述的层合体，其中所述聚合物链段B包含3个或更多个卤素原子。

8.根据权利要求7所述的层合体，其中所述聚合物链段B包含环结构并且所述环结构上取代有卤素原子。