[发明专利]用于薄膜沉积的短无机三甲硅烷基胺基聚硅氮烷

权利要求书

1.一种形成含硅膜的组合物，其包含这样的前体，该前体选自(a)、(b)和(c)中的一项或多项：

(a)[(SiR₃)₂NSiH₂]_m-NH_2-m-C≡N，其中m＝1或2；

(b)[(SiR₃)₂NSiH₂]₃N；

(c)(SiR’₃)₂N-SiH₂-N(SiR’₃)₂，

其中

-每个R独立地选自H、具有式-NR¹R²的二烷基氨基、或脒基，

-每个R’独立地选自H、具有式-NR¹R²的二烷基氨基、或脒基，前提是所有R’都不是H，并且

-R¹和R²独立地选自H或C₁-C₁₂烃基，前提是R¹和R²不能同时等于H，并且如果R¹是H，则R²是C₂-C₁₂烃基，并且NR¹R²可以一起形成含N杂环配体。

2.如权利要求1所述的形成含硅膜的组合物，其中，该前体是(SiH₃)₂N-SiH₂-N(SiH₃)(SiH₂NR¹R²)、[(SiH₃)₂NSiH₂]-NH-C≡N、或[(SiH₃)₂NSiH₂]₂N-C≡N。

3.如权利要求1所述的形成含硅膜的组合物，其中，该前体是[(SiH₃)₂NSiH₂]₃N。

4.如权利要求1所述的形成含硅膜的组合物，其中，该前体是(SiH₃)₂N-SiH₂-N(SiH₃)(SiH₂NMe₂)、(SiH₃)₂N-SiH₂-N(SiH₃)(SiH₂NEt₂)、(SiH₃)₂N-SiH₂-N(SiH₃)(SiH₂NEtMe)、(SiH₃)₂N-SiH₂-N(SiH₃)(SiH₂NiPr₂)、(SiH₃)₂N-SiH₂-N(SiH₃)(SiH₂NtBu₂)、(SiH₃)₂N-SiH₂-N(SiH₃)(SiH₂NnBu₂)、(SiH₃)₂N-SiH₂-N(SiH₃)(SiH₂NsecBu₂)、或(SiH₃)₂N-SiH₂-N(SiH₃)(SiH₂NHtBu)。