[发明专利]环氧硅氮烷化合物、包含该化合物的组合物以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法

权利要求书

1.一种环氧硅氮烷化合物，其为具有由以下的通式(I)以及(II)表示的重复单元的环氧硅氮烷化合物，

式中，R^a以及R^b各自独立地为氢原子、烷基、烯基、环烷基、或者芳基，条件是结合于1个Si原子的2个R^a之中的至少1个为氢原子，

在所述环氧硅氮烷化合物中，O原子相对于O原子与N原子的总数的比率为5％以上且25％以下，且

在基于反门控去耦法对所述环氧硅氮烷化合物进行²⁹Si-NMR而获得的光谱中，在-75ppm～-90ppm检测的峰的面积相对于在-25ppm～-55ppm检测的峰的面积的比率为4.0％以下。

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述环氧硅氮烷化合物的质均分子量为1,500以上且52,000以下。

3.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述R^a以及R^b为氢原子。

4.根据权利要求2所述的化合物，其中，所述R^a以及R^b为氢原子。

5.权利要求1～4中任一项所述的化合物的制造方法，其包含以下的工序：在胺存在下使得全氢聚硅氮烷与水进行反应。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述胺为吡啶。

7.一种组合物，其包含权利要求1～4中任一项所述的化合物与溶剂。

8.根据权利要求7所述的组合物，其中，所述溶剂是从由(a)芳香族化合物、(b)饱和烃化合物、(c)不饱和烃、(d)醚、(e)酯、以及(f)酮组成的组中选出的。

9.一种二氧化硅质膜的制造方法，其包含以下的工序：将权利要求7或8所述的组合物涂布于基材上，并进行加热。

10.根据权利要求9所述的二氧化硅质膜的制造方法，其中，在水蒸气气氛下进行所述加热。

11.一种电子器件的制造方法，其中，将权利要求7或8所述的组合物涂布于基材上，并进行加热。