[发明专利]光刻组合物、形成抗蚀图案的方法和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种冲洗组合物，包含光刻材料、水和表面活性剂，

其中该光刻材料是由下式(V)表示的二醇衍生物，

其中R₂、R₃、R₄和R₅独立地为氢、氟或C_1-5烷基，

L₂和L₃独立地是未取代的或取代有氟的C_1-5烷烃连接基、未取代的或取代有氟的C_2-4烯烃连接基、或未取代的或取代有氟的C_2-4炔烃连接基，并且

h为0、1或2，

该表面活性剂是：

或这些中任意者的任意混合物。

2.根据权利要求1所述的冲洗组合物，其中相对于该冲洗组合物的总重量，该表面活性剂的比率为0.005～0.5质量％。

3.根据权利要求1或2所述的冲洗组合物，其中相对于该冲洗组合物的总重量，该光刻材料的比率为0.01～0.5质量％。

4.根据权利要求1所述的冲洗组合物，其中该冲洗组合物还包含至少一种从由酸、碱、除前述表面活性剂以外的表面活性剂和除式(V)表示的二醇衍生物以外的有机溶剂构成的群组中选出的其他组分。

5.根据权利要求1所述的冲洗组合物，其中该冲洗组合物还包含至少一种从由杀真菌剂、抗微生物剂、防腐剂和抗真菌剂构成的群组中选出的其他组分。

6.根据权利要求1所述的冲洗组合物，其中该光刻材料是从由3-己炔-2,5-二醇，2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇，3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇，1,4-丁炔二醇，2,4-己二炔-1,6-二醇，1,4-丁二醇，2,2,3,3-四氟-1,4-丁二醇，2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1,6-己二醇，顺式-1,4-二羟基-2-丁烯，以及它们的混合物构成的群组中选出的。

7.根据权利要求1所述的冲洗组合物，其中相对于该冲洗组合物的总重量，水的比率为80.00～99.98质量％。

8.一种用于形成抗蚀图案的光刻方法，包括将权利要求1至7中任一项所述的冲洗组合物施加到基板上。

9.根据权利要求8所述的用于形成抗蚀图案的光刻方法，其中该方法包括：

(1)将光敏树脂组合物在有或没有一个或多个中间层的情况下施加在基板上，以制备光敏树脂组合物层，

(2)将光敏树脂组合物层暴露于辐射，

(3)将经曝光的光敏树脂组合物层显影，以及

(4)用冲洗组合物冲洗经显影的层。

10.根据权利要求8或9所述的用于形成抗蚀图案的光刻方法，其中该光敏树脂组合物是化学增幅型光敏树脂组合物，并且曝光是使用极紫外辐射的曝光。

11.根据权利要求8所述的用于形成抗蚀图案的光刻方法，其中在一个整个电路单元上的抗蚀图案的最细间距尺寸为10nm至20nm。

12.一种半导体器件的制造方法，包括权利要求8至11中任一项所述的用于形成抗蚀图案的光刻方法。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，还包括：

通过使用所形成的抗蚀图案作为掩模在基板中形成间隙。