[发明专利]物理蒸镀用靶构件和溅射靶构件以及物理蒸镀膜和层结构的制造方法在审
| 申请号： | 201780072744.6 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109996903A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 久保宽明;川边康平;三谷敦志;横山宗佑;高巢正信 | 申请（专利权）人： | 宇部材料工业株式会社;日本钨合金株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 崔立宇;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蒸镀膜 物理蒸镀 靶构件 基底 晶格匹配性 接合部 层结构 溅射靶 摩尔比 氧化物 换算 劣化 水合 变质 制造 | ||
1.一种物理蒸镀用靶构件，其特征在于，其包含Mg、M和O作为主要成分，其中M为3价金属元素，
所述Mg和M分别换算为MgO和M2O3这样的氧化物后的摩尔比为70：30～10：90。
2.一种物理蒸镀用靶构件，其特征在于，其包含Mg、M和O作为主要成分，其中M为3价金属元素，
所述物理蒸镀用靶构件包含具有尖晶石结构的晶相。
3.如权利要求1或2所述的物理蒸镀用靶构件，其特征在于，所述M为选自由Al和Ga组成的组中的1种或2种。
4.如权利要求1～3中任一项所述的物理蒸镀用靶构件，其特征在于，使厚度为2mm时的透光率为60％以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的物理蒸镀用靶构件，其特征在于，10GHz下的介电损耗以f·Q值计为45000GHz以上。
6.如权利要求1～5中任一项所述的物理蒸镀用靶构件，其特征在于，白色度为30以上。
7.一种溅射靶构件，其特征在于，其由权利要求1～6中任一项所述的物理蒸镀用靶构件构成。
8.一种物理蒸镀膜的制造方法，其特征在于，其使用权利要求1～6中任一项所述的物理蒸镀用靶构件在基底上物理蒸镀出物理蒸镀膜。
9.一种层结构的制造方法，其特征在于，其使用权利要求1～6中任一项所述的物理蒸镀用靶构件在基底上物理蒸镀出物理蒸镀膜，
在所述物理蒸镀膜上形成铁磁体层，
所述基底为铁磁体层，所述物理蒸镀膜为隧道势垒层。
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