[发明专利]将微装置集成到系统衬底中

权利要求书

1.一种制造像素化结构的方法，其包括：

提供施体衬底；

在所述施体衬底上沉积第一导电层；

在所述第一导电层上沉积完全或部分连续的发光功能层；

在所述功能层上沉积第二导电层；

图案化所述第二导电层，从而形成像素化结构，其中所述图案化所述第二导电层的步骤还包括图案化所述功能层和所述第一导电层，从而形成像素化台面结构；

在每个像素化台面结构上安装顶部触点；

在去除所述施体衬底之前，将每个像素化台面结构的所述顶部触点连接到临时衬底；

去除所述施体衬底；

为每个像素化结构提供键合触点；

将所述键合触点固定到系统衬底；以及

然后，在每个像素化结构上提供所述键合触点和将所述键合触点固定到所述系统衬底之后，去除所述临时衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在每个像素化结构之间和上方沉积介电层；以及

图案化所述介电层以在每个像素化结构的顶部形成用于键合焊盘的开口。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积第二导电层的步骤包括沉积顶部导电层和电流分布层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除所述施体衬底的步骤包括薄化所述第一导电层。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：沉积反射层；以及图案化所述反射层以仅覆盖所述第一导电层上介于所述像素化结构之间的区域。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述在每个像素化结构上提供键合触点的步骤包括：在所述第二导电层上沉积键合接触层；以及图案化所述键合接触层以及所述第二导电层和所述功能层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化所述第一导电层的步骤包括仅图案化所述第一导电层的第一部分；并且

其中所述去除所述施体衬底的步骤包含去除所述第一导电层的除所述第一部分之外的所有部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在每个顶部触点与所述临时衬底之间沉积衬底键合层；

其中所述键合触点的熔化温度大于所述衬底键合层的熔化温度；

其中所述将所述键合触点固定到所述系统衬底和去除所述临时衬底的步骤包括：

将所选像素化台面结构的键合触点与所述系统衬底上的接触焊盘对齐；

将所述衬底键合层和所述所选像素化台面结构的所述键合触点的温度升高为超过所述键合触点的熔点；

将所述衬底键合层和所述键合触点的温度降至介于所述键合触点的所述熔化温度与所述衬底键合层的所述熔化温度之间，由此固化所述键合触点并将所述键合触点固定到所述系统衬底上的所述接触焊盘；以及

在所述衬底键合层仍然高于其熔化温度时去除所述临时衬底。

9.根据权利要求8所述的方法，其中提高温度的步骤包括将温度提高为全局地高于所述键合触点的所述熔点。

10.根据权利要求8所述的方法，其中提高温度的步骤包括将温度提高为全局地接近所述键合触点的所述熔点，以及然后将温度提高为局部地超过所述键合触点的所述熔点。

11.根据权利要求8所述的方法，其中提高温度的步骤包括将温度提高为全局地接近所述衬底键合层的所述熔点，以及然后将温度提高为局部地超过所述键合触点的所述熔点。

12.根据权利要求10所述的方法，其中将温度提高为局部地超过所述键合触点的所述熔点包括施加电流通过所述所选像素化台面结构。