[发明专利]功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201780073003.X 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN109997223B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: S.哈特曼;D.特吕塞尔 申请(专利权)人: 日立能源瑞士股份公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/047;H01L25/11;H01L23/00
代理公司: 北京市汉坤律师事务所 11602 代理人: 王菲;张涛
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种功率半导体模块,包括:

基板(12),所述基板(12)具有定位在所述基板(12)上的至少一个衬底(11,13,15,17),

电子电路,所述电子电路定位在所述至少一个衬底(11,13,15,17)上,

DC+功率端子(14),所述DC+功率端子定位成直接在所述至少一个衬底上,

DC-功率端子(16),所述DC-功率端子定位成直接在所述至少一个衬底上,

AC功率端子(18),所述AC功率端子定位成直接在所述至少一个衬底上,

控制连接器,所述控制连接器定位成直接在所述至少一个衬底上,

第一数量(24)的开关式功率半导体器件(26,28),

第二数量(30)的开关式功率半导体器件(32,34),

其中,所述基板(12)包括接触区域(36)、第一器件区域(38)和第二器件区域(40),所述接触区域(36)定位在所述基板(12)的中心,使得所述第一器件区域(38)定位在所述接触区域(36)的第一侧处,且所述第二器件区域(40)定位在所述接触区域(36)的第二侧处,所述第二侧布置成与所述第一侧相反,

其中,所述DC+功率端子(14)、所述DC-功率端子(16)、所述AC功率端子(18)和所述控制连接器在所述接触区域(36)中与所述至少一个衬底物理接触,所述第一数量(24)的开关式功率半导体器件(26,28)定位在所述第一器件区域(38)中,且所述第二数量(30)的开关式功率半导体器件(32,34)定位在所述第二器件区域(40)中,

其中,所述第一器件区域(38)中的所有所述功率半导体器件(26,28)均定位在平行于所述基板(12)的宽度而对齐的两条平行线(42,44)上,且所述第二器件区域(40)中的所有所述功率半导体器件(32,34)均定位在平行于所述基板(12)的宽度而对齐的两条平行线(46,48)上,

其中,任何功率半导体器件(26,28,32,34)与所述DC+功率端子(14)、所述DC-功率端子(16)和所述AC功率端子(18)的固定位置(14',16',18')中的任何之间的距离在≥6mm的范围中,其中,连接区域(36)具有在≥15mm至≤40mm的范围中的长度,其中,所述第一器件区域(38)和所述第二器件区域(40)中的至少一个具有在≥20mm至≤40mm的范围中的长度。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第一数量(24)的开关式功率半导体器件(26,28)包括IGBT器件和二极管,并且所述第二数量(30)的开关式功率半导体器件(32,34)包括IGBT器件和二极管。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述IGBT器件和所述二极管布置成使得所有IGBT器件均定位在各器件区域(38,40)的平行于所述基板(12)的宽度而对齐的第一线(44,46)上,并且所有二极管均设在各器件区域(38,40)的平行于所述基板(12)的宽度而对齐的第二线(42,48)上。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述DC+功率端子(14)和所述DC-功率端子(16)被导向至所述功率半导体模块(10)的所述第一侧,并且所述AC功率端子(18)被导向至所述功率半导体模块(10)的所述第二侧。

5.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述控制连接器通过接合引线连接到所述衬底(11,13,15,17)。

6.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述连接区域(36)形成为矩形。

7.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,四个衬底(11,13,15,17)定位在所述基板(12)上,其中各衬底(11,13,15,17)承载所述电路的部分。

8.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,至少两个衬底(11,13,15,17)相同地布置。

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