[发明专利]检查方法、检查装置及标记形成方法

说明书

一个实施方式所涉及的检查方法，是对具有基板(SiE)及形成于基板(SiE)上的金属层(ME)的半导体器件(D)进行激光标记的检查方法，包含：通过检查半导体器件(D)，特定半导体器件(D)中的故障部位(fp)的步骤；基于故障部位(fp)，以至少在基板(SiE)与金属层(ME)的边界形成有标记的方式，自基板(SiE)侧对半导体器件(D)照射透过基板(SiE)的波长的激光的步骤。

技术领域

本发明的一个方面涉及半导体器件的检查方法、检查装置、及标记形成方法。

背景技术

作为检查半导体器件的技术，存在在特定了故障部位的情况下，相对于故障部位的周围数个部位，通过激光的照射进行标记的技术。这样的技术在故障解析中的后工序中，由于可通过标记而容易地掌握故障部位，因而是极其有效的技术。

对被封装的样品(半导体器件)及需要使用在金属层侧无窗的探针卡的样品等进行标记的情况下，由于无法自表面侧(金属层侧)照射激光，因而需要自背面侧(基板侧)照射激光。例如在专利文献1中，公开了一种通过OBIRCH(Optical Beam Induced ResistanceChange(光束感应阻抗值变化))法解析使用了SiC基板的半导体器件的故障位置的故障解析装置。在专利文献1中，公开了自背面侧照射激光，对基板的表面侧的器件及电路进行激光标记。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-97391号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在专利文献1中未公开标记的详细位置。另外，基于标记进行半导体器件的物理解析时，如果有自表面侧确认标记的位置的情况，则也有自背面侧确认的情况。因此，标记被形成的位置优选为自表面侧及背面侧均可容易确认的位置。

因此，本发明的一个方面的目的在于，提供一种在自半导体器件的基板侧进行激光标记的情况下，在物理解析时自表面侧及背面侧的任一侧都能够容易确认标记位置的检查方法、检查装置及标记形成方法。

解决问题的技术手段

本发明的一个方面所涉及的检查方法是对具有基板及形成于基板上的金属层的半导体器件进行激光标记的检查方法，包含：通过检查半导体器件，特定半导体器件中的规定位置的步骤；基于规定位置，以至少在基板与金属层的边界形成有标记的方式，自基板侧对半导体器件照射透过基板的波长的激光的步骤。

在该检查方法中，基于半导体器件中被特定的规定位置(例如故障部位)，以至少在基板与金属层的边界形成有标记的方式，自基板侧对半导体器件照射透过基板的波长的激光。这样，通过在基板与金属层的边界形成标记，而可在自表面侧(金属层侧)及背面侧(基板侧)的任一侧均能够容易确认的位置形成标记。由此，在自半导体器件的基板侧进行激光标记的情况下，在物理解析时自表面侧及背面侧的任一侧均可容易确认标记位置。

在照射激光的步骤中，也可以标记不贯通金属层的方式，控制激光的照射。由此，可使标记留在半导体器件的内部。其结果，可防止因标记形成时可能产生的半导体器件的碎片(debris)而污染半导体器件的表面。

在照射激光的步骤中，也可以产生空洞、改质、及熔融中的至少一者作为标记的方式控制激光的照射。由此，可适当地形成标记。

上述检查方法也可还包含获取包含显示标记的标记像的半导体器件的图案图像的步骤。由此，可获取可与半导体器件的图案(例如配线图案)一起在视觉上掌握标记位置的图案图像。通过这样的图案图像，在物理解析中可容易地掌握标记位置。