[发明专利]用于柔性电子器件制造的临时粘合层

权利要求书

1.一种微电子器件基板，包括：

载体；

硅酸盐粘合层，和

柔性基板，其中，所述柔性基板粘合到所述硅酸盐粘合层；

其中，所述微电子器件基板具有所述柔性基板和硅酸盐粘合层之间的剥离强度，其中，所述柔性基板和所述硅酸盐粘合层之间的剥离强度低于1kgf/m。

2.根据权利要求1所述的微电子器件基板，其中，所述载体是玻璃面板、硅晶片或呈现硅氧化物表面的任何材料。

3.根据权利要求1所述的微电子器件基板，其中，所述硅酸盐粘合层包括选自由硅酸锂、硅酸钠、硅酸钾、硅酸铷、硅酸铯、硅酸钫及其任何组合所构成的组中的硅酸盐。

4.根据权利要求1所述的微电子器件基板，其中，所述硅酸盐粘合层包括选自由硅酸铍、硅酸镁、硅酸钙、硅酸锶、硅酸钡、硅酸镭及其任何组合所构成的组中的硅酸盐。

5.根据权利要求1所述的微电子器件基板，其中，所述硅酸盐粘合层包括碱金属硅酸盐、碱土金属硅酸盐或其任何组合。

6.根据权利要求1所述的微电子器件基板，其中，所述硅酸盐粘合层由硅酸盐溶液形成，所述硅酸盐溶液为介于0.01重量％和50重量％之间的硅酸盐化合物。

7.根据权利要求1所述的微电子器件基板，其中，所述柔性基板是由树脂或清漆溶液沉积的有机膜。

8.根据权利要求1所述的微电子器件基板，其中，所述柔性基板选自由聚酰亚胺、多硫化物、聚酯及其任何组合所构成的组。

9.一种制造微电子器件基板的方法，包括：

在载体的顶部沉积硅酸盐溶液，

将所述硅酸盐溶液去溶剂化以形成硅酸盐粘合层，以及

在所述硅酸盐粘合层上形成柔性基板。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，通过狭缝式挤压涂布、旋涂、刮涂、气刀涂布或其任何组合来沉积硅酸盐溶液。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，使所述硅酸盐溶液去溶剂化包括将所述载体加热到高于所述硅酸盐溶液中的溶剂的沸点。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，通过以下方式形成所述柔性基板：

在所述硅酸盐粘合层的顶部沉积树脂或清漆并将所述树脂或清漆固化成柔性基板。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括在所述柔性基板上执行微制造，包括薄膜沉积、薄膜生长、薄膜图案化、湿蚀刻、干蚀刻、微成型或其任何组合。

14.根据权利要求9所述的方法，还包括通过用低于1kgf/m的去除力机械地去除所述柔性基板来使所述柔性基板与所述载体脱层。

15.根据权利要求9所述的方法，还包括通过将溶剂引入所述柔性基板和所述硅酸盐粘合层之间的界面并用低于1kgf/m的去除力机械地去除所述柔性基板来使所述柔性基板与所述载体脱层。

16.根据权利要求9所述的方法，还包括通过机械地去除所述基板来使所述柔性基板与所述载体脱层；其中，机械去除通过切削工具、加工工具、钻孔工具、激光烧蚀工具、流体喷射工具或其任何组合来执行。

17.根据权利要求9所述的方法，还包括通过机械地去除所述柔性基板来使所述柔性基板与所述载体脱层；其中，机械去除通过真空辊、刀片楔、拉伸夹具或其任何组合来执行。

18.根据权利要求9所述的方法，其中所述柔性基板选自由聚酰亚胺、多硫化物、聚酯及其任何组合所构成的组。