[发明专利]具有抑制的寄生模式的MEMS谐振器有效

专利信息
申请号: 201780073620.X 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN110024285B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 维莱·卡亚卡里 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/00;H03H9/15;H03H9/24
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 唐京桥;杨林森
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 抑制 寄生 模式 mems 谐振器
【权利要求书】:

1.一种微机电系统MEMS谐振器,包括:

多个第一谐振器板,每个第一谐振器板具有宽度W1和长度L1,其中,所述长度L1所述宽度W1;以及

多个第二谐振器板,每个第二谐振器板具有宽度W2和长度L2,其中,所述长度L2所述宽度W2,

其中,所述多个第一谐振器板和所述多个第二谐振器板被设置成沿所述MEMS谐振器的横向方向彼此平行,并且

其中,所述长度L1不等于所述长度L2。

2.根据权利要求1所述的MEMS谐振器,其中,所述多个第二谐振器板包括至少一对第二谐振器板,所述至少一对第二谐振器板分别被设置成沿横向方向与所述多个第一谐振器板中的至少一对第一谐振器板的外侧相邻。

3.根据权利要求2所述的MEMS谐振器,其中,所述一对第一谐振器板被设置成沿所述横向方向在所述第一谐振器板的各自内侧处彼此相邻,所述内侧与所述外侧相对。

4.根据权利要求2所述的MEMS谐振器,其中,所述MEMS谐振器包括对称形状,使得所述多个第二谐振器板沿所述横向方向相对于所述多个第一谐振器板对称地对准。

5.根据权利要求2所述的MEMS谐振器,其中,所述第二谐振器板中的每个第二谐振器板的长度L2等于0.98×所述第一谐振器板的长度L1。

6.根据权利要求1所述的MEMS谐振器,其中,所述第二谐振器板中的每个第二谐振器板的长度L2等于0.98×所述第一谐振器板的长度L1。

7.根据权利要求5所述的MEMS谐振器,其中,所述第一谐振器板中的每个第一谐振器板的宽度W1等于所述第二谐振器板中的每个第二谐振器板的宽度W2。

8.根据权利要求2所述的MEMS谐振器,还包括至少一个第三谐振器板,所述至少一个第三谐振器板具有与所述长度L1或所述长度L2不相等的长度L3。

9.根据权利要求8所述的MEMS谐振器,其中,各个谐振器板的长度L1、L2和L3满足以下:

其中,i和i+1是所述MEMS谐振器中的任意两个相邻的谐振器板,并且

其中,Li和Li+1是至少一对沿所述横向方向相邻的谐振器板的平均长度。

10.根据权利要求1所述的MEMS谐振器,其中,所述第一谐振器板中的每个第一谐振器板的长度L1和所述第二谐振器板中的每个第二谐振器板的长度L2满足以下:

11.根据权利要求10所述的MEMS谐振器,其中,所述第一谐振器板中的每个第一谐振器板的宽度W1和所述第二谐振器板中的每个第二谐振器板的宽度W2满足以下:

12.根据权利要求11所述的MEMS谐振器,其中,所述第一谐振器板中的每个第一谐振器板的长度L1和所述第二谐振器板中的每个第二谐振器板的长度L2满足以下:

13.一种微机电系统MEMS谐振器,包括:

多个内部谐振器板,每个内部谐振器板具有宽度W1和大于所述宽度W1的长度L1,其中,所述内部谐振器板被设置成沿所述内部谐振器板的各自的第一侧彼此相邻;以及

多个外部谐振器板,每个外部谐振器板具有宽度W2和大于所述宽度W2的长度L2,其中,至少一对外部谐振器板被设置成与一对内部谐振器板的各自的第二侧相邻,

其中,所述一对内部谐振器板的所述第二侧沿所述MEMS谐振器的横向方向分别与所述第一侧相对,并且

其中,所述长度L1不等于所述长度L2。

14.根据权利要求13所述的MEMS谐振器,其中,所述外部谐振器板中的每个外部谐振器板的长度L2等于0.98×所述内部谐振器板的长度L1。

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