[发明专利]用于图案化配置的方法和系统有效
申请号: | 201780073895.3 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN110023839B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | V·维拉恩基;陈炳德 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/36;G06F30/392;G06F30/398 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 图案 配置 方法 系统 | ||
一种方法,包括:获得具有多个设计图案多边形的器件设计图案布局;由计算机自动识别所述器件设计图案布局中的多边形的单位单元;识别所述器件设计图案布局内所述单位单元的多次出现以构建层级;和由所述计算机通过将设计用于所述单位单元的光学邻近校正重复地应用至所述层级中的所述单位单元的所述出现从而对所述器件设计图案布局执行光学邻近校正。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月1日提交的美国临时申请62/428,904的优先权,该申请通过引用全文并入本文。
技术领域
本文中的描述涉及图案化器件的图案化配置。
背景技术
例如,光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,图案形成装置(例如,掩模)可以包括或提供对应于IC的单层的器件图案(“设计布局”),并且这一图案可以通过诸如穿过图案形成装置的图案辐射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个的管芯)的方法,被转印到所述目标部分上。通常,单个衬底包括被光刻投影设备连续地、一次一个目标部分地将图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻设备中,整个图案形成装置的图案被一次转印到一个目标部分上;这样的设备通常称作为步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中,投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描,同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步移动衬底。图案形成装置的图案的不同部分被逐渐地转印到一个目标部分上。因为通常光刻设备将具有放大系数M(通常1),所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的速度的M倍。
在将图案从图案形成装置转印至衬底之前,衬底可能经历各种工序,诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后,衬底可能经历其它工序,诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转印的图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后衬底可能经历各种过程,诸如刻蚀、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等,所有的这些过程都旨在最终完成器件的单个层。如果器件需要多个层,则针对每一层重复整个工序或其变形。最终,器件将设置在衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或切割等技术,将这些器件互相分开,据此单独的器件可以安装在载体上,连接至引脚等。
因此,制造器件(诸如半导体器件)典型地涉及使用多个制造过程处理衬底(例如,半导体晶片),以形成所述器件的各种特征和多个层。这些层和特征典型地使用例如衬底、光刻、蚀刻、化学机械抛光、离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个管芯上制造多个器件,之后将它们分离成单个器件。这种器件制造过程可被认为是图案化过程。图案化过程涉及使用光刻设备中的图案形成装置的图案化步骤,诸如光学和/或纳米压印光刻,以将图案形成装置的图案转印到衬底上,而且图案化过程典型地但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤,诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤衬底、使用蚀刻设备而使用的图案进行蚀刻等。
发明内容
在一个实施例中,提供一种方法,包括:获得包括多个设计图案多边形的器件设计图案布局;由计算机自动识别所述器件设计图案布局中的多边形的单位单元;识别所述器件设计图案布局内所述单位单元的多次出现以构建层级;和由所述计算机通过将设计用于所述单位单元的光学邻近校正重复地应用至所述层级中的所述单位单元的所述出现从而对所述器件设计图案布局执行光学邻近校正。
在一个实施例中,提供一种方法,包括:获得包括多个设计图案多边形的器件设计图案布局;由计算机自动识别所述器件设计图案布局中的多边形的单位单元;识别所述器件设计图案布局内所述单位单元的多次出现;和由所述计算机基于被识别的多次出现而构建层级,该层级被设计以用于该器件设计图案布局的光学邻近校正中。
在一个实施例中,提供一种计算机程序产品,包括具有在其上记录的指令的计算机非暂时性可读介质,所述指令在由计算机执行时实施本文所述的方法。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780073895.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。