[发明专利]双结光纤耦合激光二极管及相关方法

权利要求书

1.一种光纤耦合激光二极管设备，包括：

在单个外延结构中连接到第二引导层的第一引导层，所述第一引导层和第二引导层中的每一个具有有源层；

单个隧道结，位于第一和第二引导层之间并直接接触第一和第二引导层，其中第一引导层和第二引导层的间隔距离等于单个隧道结的厚度，单个隧道结由两个彼此接触定位的薄的重掺杂层形成；以及

公共垂直波导，由第一和第二引导层的有源层共享，其中，公共垂直波导由接触两个薄的重掺杂层中的一个的第一引导层以及定位成接触两个薄的重掺杂层中的另一个的第二引导层而形成，

其中，光纤耦合激光二极管设备内的光学模式的峰值强度位于所述单个隧道结。

2.根据权利要求1所述的光纤耦合激光二极管设备，其中第一和第二引导层中的每一个的有源层还包括量子阱有源层。

3.根据权利要求1所述的光纤耦合激光二极管设备，其中单个隧道结的两个薄的重掺杂层还包括n++层和p++层，

其中所述第一引导层还包括未掺杂的引导层和邻近所述n++层定位的n引导层，其中所述n引导层接触所述n++层，并且其中所述第二引导层还包括未掺杂的引导层和p引导层，其中p引导层接触p++层，并且进一步的，其中第一和第二引导层的n引导层和p引导层分别具有等于或大于第一和第二引导层的未掺杂引导层的光学折射率的光学折射率。