[发明专利]R-Fe-B系烧结磁铁及其制造方法有效
申请号: | 201780074060.X | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN109997203B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 大桥彻也;广田晃一;中村元 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02;C22C33/02;B22F3/24;B22F3/02;B22F3/10;C21D6/00;C22C38/00;C22C38/10;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/02 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | fe 烧结 磁铁 及其 制造 方法 | ||
1.R-Fe-B系烧结磁铁,该R-Fe-B系烧结磁铁具有如下组成:12~17原子%的R,R为选自包含Y的稀土元素中的1种或2种以上的元素,并且必须含有Nd;0.1~3原子%的M1,M1为选自Si、Al、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Pt、Au、Hg、Pb和Bi中的1种以上的元素;0.05~0.5原子%的M2,M2为选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W中的1种以上的元素;(4.8+2×m~5.9+2×m)原子%的B,m为由M2表示的元素的含有率,用原子%表示;10原子%以下的Co;0.5原子%以下的C;1.5原子%以下的O;0.5原子%以下的N和余量的Fe,具有包含R2(Fe,(Co))14B金属间化合物的主相和晶界相,其特征在于,在所述晶界相的二粒子间晶界具有被二粒子间宽度为不足10nm的窄幅部包围的、与窄幅部的晶界宽度相比在二粒子间宽度方向上鼓起的结构的扩幅部,所述扩幅部的二粒子间宽度为30nm以上,所述扩幅部中的、Fe与R的原子比即Fe/R为0.01~2.5,所述主相在其表面部包含由(R',HR)2(Fe,(Co))14B表示的富HR相,R'为选自包含Y、不包括Dy、Tb和Ho的稀土元素中的1种或2种以上的元素,并且必须含有Nd,HR为选自Dy、Tb和Ho中的1种以上的元素,所述富HR相中的HR的含量比所述主相的中心部处的HR的含量高,磁铁截面处的、相对于磁铁全体的面积的所述扩幅部的合计面积的比例为0.1%以上且1%以下。
2.根据权利要求1所述的R-Fe-B系烧结磁铁,其特征在于,所述扩幅部的二粒子间晶界的扩展方向的最大长度L与二粒子间宽度W之比L/W为8以下。
3.根据权利要求1或2所述的R-Fe-B系烧结磁铁,其特征在于,所述扩幅部的最大截面积为7000nm2以上。
4.根据权利要求1或2所述的R-Fe-B系烧结磁铁,其特征在于,从表面部向内部,HR含量具有分布,表面部的HR含量比内部的HR含量高。
5.根据权利要求1或2所述的R-Fe-B系烧结磁铁,其特征在于,所述富HR相在所述主相的表面部不均匀地形成。
6.根据权利要求1或2所述的R-Fe-B系烧结磁铁,其特征在于,所述富HR相中的Nd的含量为所述主相的中心部处的Nd的含量的0.8倍以下。
7.根据权利要求1或2所述的R-Fe-B系烧结磁铁,其特征在于,在与R-Fe-B系烧结磁铁的表面相距200μm的内部的截面处所评价的富HR相的面积相对于主相全体的面积,为2%以上。
8.R-Fe-B系烧结磁铁的制造方法,其特征在于,包含:
制备合金微粉的工序,该合金微粉具有如下组成:12~17原子%的R,R为选自包含Y的稀土元素中的1种或2种以上的元素,并且必须包含Nd;0.1~3原子%的M1,M1为选自Si、Al、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Pt、Au、Hg、Pb和Bi中的1种以上的元素;0.05~0.5原子%的M2,M2为选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W中的1种以上的元素;(4.8+2×m~5.9+2×m)原子%的B,m为由M2表示的元素的含有率,用原子%计;10原子%以下的Co;0.5原子%以下的C;1.5原子%以下的O;0.5原子%以下的N和余量的Fe,
在磁场施加中对该合金微粉进行压粉成型而得到成型体的工序,
将该成型体在900~1250℃的范围的温度下烧结而得到烧结体的工序,
将该烧结体冷却到400℃以下的温度的工序,
高温热处理工序,其中,将含有HR的金属、化合物或金属间化合物配置在所述烧结体的表面,在超过950℃且1100℃以下的范围的温度下加热,使HR向烧结体进行晶界扩散,冷却到400℃以下,HR为选自Dy、Tb和Ho中的1种以上的元素,
在该高温热处理后在600~750℃的范围的温度下进行加热的中温热处理工序,和
在该中温热处理后在400~550℃的范围的温度下加热并冷却到300℃以下的低温热处理工序。
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