[发明专利]透明电极构件及其制造方法和使用该透明电极构件的静电电容式传感器

权利要求书

1.一种透明电极构件，具备：

基材，具有透光性；

透明电极，配置在作为所述基材的一个面的第一面，具有透光性；以及

绝缘层，在从所述第一面的法线方向观察时，配置在绝缘区域，该绝缘区域位于配置有所述透明电极的区域的周围的至少一部分，

所述透明电极构件的特征在于，

所述透明电极具备：分散层，包含由绝缘材料构成的基块和分散在所述基块内的导电性纳米线，

在从所述第一面的法线方向观察时，所述透明电极具有由导电部构成的导电区域和具有光学调整部的光学调整区域，

所述光学调整区域具有离散地位于所述导电区域内的多个部分区域，

所述绝缘区域的反射率比所述导电区域的反射率低，

所述绝缘层含有所述基块，

所述导电部与所述光学调整部相比，导电性高，

所述光学调整部与所述导电部相比，所述分散层中的所述导电性纳米线的分散密度低，

所述光学调整部的所述分散层中的所述导电性纳米线的分散密度沿着所述第一面的法线方向变化，与相对于所述基材远处的一侧相比，相对于所述基材近处的一侧的所述光学调整部的导电性纳米线的分散密度高，

所述光学调整部具有比所述绝缘层高的导电性。

2.根据权利要求1所述的透明电极构件，其特征在于，

所述透明电极中的所述光学调整区域的面积比例为40％以下。

3.根据权利要求1所述的透明电极构件，其特征在于，

所述多个部分区域相互分离30μm以上。

4.根据权利要求1所述的透明电极构件，其特征在于，

多个部分区域各自的形状为圆，

所述圆的直径为10μm以上且100μm以下。

5.根据权利要求1所述的透明电极构件，其特征在于，

所述多个部分区域各自的形状为四边形，

所述四边形的对角线之中最长的对角线的长度为10μm以上且100μm以下。

6.根据权利要求1所述的透明电极构件，其特征在于，

所述多个部分区域遍及所述透明电极的整体地配置。

7.根据权利要求1所述的透明电极构件，其特征在于，

所述透明电极在所述第一面配置有多个，

所述透明电极构件还具有：透明布线，由具有透光性的导电性材料构成，

所述透明布线将多个所述透明电极电连接。

8.根据权利要求7所述的透明电极构件，其特征在于，

所述透明电极具有：

多个第一透明电极，沿着作为所述第一面的一个面内方向的第一方向排列配置，相互被电连接；以及

多个第二透明电极，沿着作为所述第一面的另一个面内方向的第二方向排列配置，相互被电连接，

所述透明布线具有：

第一透明布线，将所述多个第一透明电极电连接；以及

第二透明布线，将所述多个第二透明电极电连接，

所述第一透明布线和所述第二透明布线在所述第一面的法线方向上具有隔着绝缘物重叠的部分。

9.根据权利要求8所述的透明电极构件，其特征在于，

被所述绝缘层包围并具有透光性的虚设区域设置在所述第一透明电极与所述第二透明电极之间，

所述第一透明电极和所述第二透明电极通过所述虚设区域而分离的分离方向的所述虚设区域的长度为70μm以上，

所述虚设区域具有：构造与所述透明电极的所述导电区域相同的虚设导电区域、和构造与所述透明电极的所述光学调整区域相同的虚设光学调整区域，

作为位于距所述绝缘层最近处的所述虚设光学调整区域的距所述绝缘层的距离的最小分离距离Df满足

Df＞0。