[发明专利]半导体装置的制造方法以及封装装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其为将一个以上的半导体芯片层叠于基板上的多个部位并进行封装的半导体装置的制造方法，且所述半导体装置的制造方法的特征在于包括：

临时压接步骤，一面将一个以上的半导体芯片依次分别临时压接于所述基板上的两个以上的部位，一面进行层叠，从而形成临时压接状态的芯片层叠体；以及

正式压接步骤，对所形成的全部所述临时压接状态的芯片层叠体的上表面依序加热加压，由此一并对构成各芯片层叠体的一个以上的半导体芯片进行正式压接，

将所述临时压接步骤及所述正式压接步骤重复进行两次以上，直至所述芯片层叠体达到所需的个数，进而，包括

确定步骤，即，在所述临时压接步骤之前，确定自正式压接中的芯片层叠体起至通过用于所述正式压接的加热而升温的所述基板的温度成为规定的容许温度以下的部位为止的距离即间隔距离，

在所述临时压接步骤中，使所述临时压接状态的芯片层叠体彼此隔开所述间隔距离以上而形成，且

在所述正式压接步骤中，对隔开所述间隔距离以上而形成的所述临时压接状态的芯片层叠体进行正式压接，

在所述半导体芯片的层叠方向单侧端面设置有用于将所述半导体芯片与邻接封装于所述层叠方向单侧的基板或半导体芯片固着的热硬化性树脂，且

所述容许温度较所述热硬化性树脂不可逆地开始硬化的硬化开始温度低。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述确定步骤基于所述半导体芯片的封装条件来确定所述间隔距离。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

包含进行所述正式压接时的所述芯片层叠体的最下层的温度即下层温度，且

所述确定步骤中，以所述下层温度越高则所述间隔距离越长的方式确定所述间隔距离。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于进而包括：

分布图形成步骤，基于所确定的所述间隔距离来形成表示多个芯片层叠体的形成位置的分布图，

在所述临时压接步骤中，按照所述分布图来形成所述多个所述临时压接状态的芯片层叠体。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进而

配置有所述芯片层叠体的多个配置区域以规定的间距P呈格子状排列设定于所述基板，

所述确定步骤确定所述间隔距离之后，进而确定当将所述间隔距离设为Dd时满足{(N-l)×P}≦DdN×P的整数N，且

在所述临时压接步骤中，每隔N个所述配置区域来形成所述临时压接状态的芯片层叠体。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述基板为半导体晶片。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

临时压接步骤，一面将一个以上的半导体芯片依次分别临时压接于基板上的两个以上的部位，一面进行层叠，从而形成临时压接状态的芯片层叠体；以及

正式压接步骤，将对两个以上的临时压接状态的芯片层叠体的上表面同时加热加压且同时进行正式压接的处理重复进行两次以上，并使在所述临时压接步骤中形成的所有临时压接状态的芯片层叠体变化为正式压接状态，

将所述临时压接步骤及所述正式压接步骤重复进行两次以上，直至所述芯片层叠体达到所需的个数，进而，包括

确定步骤，即，在所述临时压接步骤之前，确定自正式压接中的芯片层叠体起至通过用于所述正式压接的加热而升温的所述基板的温度成为规定的容许温度以下的部位为止的距离即间隔距离，且

在所述临时压接步骤中，使未同时经正式压接的临时压接状态的芯片层叠体彼此隔开所述间隔距离以上而形成，

在所述半导体芯片的层叠方向单侧端面设置有用于将所述半导体芯片与邻接封装于所述层叠方向单侧的基板或半导体芯片固着的热硬化性树脂，且

所述容许温度较所述热硬化性树脂不可逆地开始硬化的硬化开始温度低。