[发明专利]物理气相沉积腔室中的颗粒减量

权利要求书

1.一种用于沉积非晶硅材料的处理配件屏蔽件，所述处理配件屏蔽件包括：

主体，所述主体具有表面，所述表面面向物理气相沉积(PVD)处理腔室的处理空间，其中所述主体由氧化铝(Al₂O₃)构成；和

氮化硅层，所述氮化硅层在所述主体的所述表面上。

2.如权利要求1所述的处理配件屏蔽件，进一步包括非晶硅层，所述非晶硅层在所述氮化硅层上。

3.如权利要求2所述的处理配件屏蔽件，其中所述氮化硅层的第一厚度对所述非晶硅层的第二厚度的比例为1：3。

4.如权利要求2所述的处理配件屏蔽件，其中所述主体包括第三层，所述第三层为所述氮化硅层和所述非晶硅层的重复交替层，所述第三层具有预定的第三厚度。

5.一种用于沉积非晶硅材料的物理气相沉积(PVD)处理腔室，所述物理气相沉积(PVD)处理腔室包括：

处理配件屏蔽件，所述处理配件屏蔽件包括：

主体，所述主体具有表面，所述表面面向所述物理气相沉积(PVD)处理腔室的处理空间，其中所述主体由氧化铝(Al₂O₃)构成；

氮化硅层，所述氮化硅层具有第一厚度在所述主体的所述表面上；和

非晶硅层，所述非晶硅层具有第二厚度在所述氮化硅层上；

基板支撑基座，所述基板支撑基座设置在所述处理空间下方的所述处理腔室中；和

靶材，所述靶材设置在与所述基板支撑基座相对处。

6.如权利要求5所述的物理气相沉积(PVD)处理腔室，其中所述氮化硅层的第一厚度对所述非晶硅层的第二厚度的比例为1：3。

7.如权利要求5所述的物理气相沉积(PVD)处理腔室，其中所述主体包括第三层，所述第三层为所述氮化硅层和所述非晶硅层的重复交替层，所述第三层具有预定的第三厚度。

8.一种在物理气相沉积(PVD)处理腔室中处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)在处理配件屏蔽件的表面的顶上沉积氮化硅层，所述表面面向所述物理气相沉积(PVD)处理腔室的处理空间，其中所述处理配件屏蔽件包括主体，所述主体由氧化铝(Al₂O₃)构成，且其中在没有基板设置在所述物理气相沉积(PVD)处理腔室中的情况下沉积所述氮化硅层；和

(b)随后在所述物理气相沉积(PVD)处理腔室中的预定数量的基板上沉积非晶硅层，其中非晶硅材料也在所述氮化硅层上形成非晶硅层。

9.如权利要求8所述的方法，其中沉积所述氮化硅层的步骤进一步包括以下步骤：

在所述物理气相沉积(PVD)处理腔室的处理空间内，由第一处理气体形成等离子体，其中所述第一处理气体包含惰性气体和氮气(N₂)气体，以在所述物理气相沉积(PVD)处理腔室的所述处理空间内，从靶材的表面溅射硅。

10.如权利要求9所述的方法，其中以下至少一者：

以50 sccm至200 sccm的流率提供所述惰性气体；

以50 sccm至1000 sccm的流率提供所述氮气(N₂)气体；或

所述第一处理气体具有为4：1的氮气(N₂)气体对惰性气体的比例。

11.如权利要求8所述的方法，其中沉积所述非晶硅层的步骤进一步包括以下步骤：

在所述物理气相沉积(PVD)处理腔室的处理空间内，由第二处理气体形成等离子体，其中所述第二处理气体包含惰性气体和氢气(H₂)气体，以在所述物理气相沉积(PVD)处理腔室的所述处理空间内，从靶材的表面溅射硅。