[发明专利]有源混频器的增强型宽带操作

权利要求书

1.一种用于无线通信的装置，包括：

有源混频器，被配置为至少部分地基于交流本地振荡器信号在射频信号与中频信号之间进行转换，其中在所述有源混频器内生成的直流部分地取决于偏置电压和所述交流本地振荡器信号；以及

混频器偏置电路，被配置为生成用于所述有源混频器的所述偏置电压，所述偏置电压的幅度至少部分地取决于所述交流本地振荡器信号的振幅，所述混频器偏置电路包括反馈回路，所述反馈回路被配置为相对于所述交流本地振荡器信号的所述振幅，反向地控制所述偏置电压的所述幅度。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

组合器电路，被配置为生成偏置的本地振荡器信号以用于输入到所述有源混频器，所述偏置的本地振荡器信号是所述偏置电压和所述交流本地振荡器信号的合成。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述混频器偏置电路还包括：

电流源，被配置为提供参考电流；以及

跨导电路，被配置为接收所述参考电流和所述交流本地振荡器信号。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述混频器偏置电路还包括：

差分放大器，包括被配置为接收所述跨导电路的电压的第一输入、被配置为接收参考电压的第二输入、以及被配置为输出所述偏置电压的输出。

5.根据权利要求3所述的装置，还包括：

差分驱动电路，所述差分驱动电路包括所述跨导电路和第二跨导电路，所述第二跨导电路被配置为接收所述参考电流，所述差分驱动电路被配置为分别接收所述交流本地振荡器信号的差分输入。

6.根据权利要求2所述的装置，其中所述混频器偏置电路还包括：

差分放大器；以及

p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管具有电连接到电流源和所述差分放大器的漏极；以及

其中所述差分放大器包括电连接到所述p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的所述漏极的第一输入、被配置为接收参考电压的第二输入、以及被配置为输出所述偏置电压的输出。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述有源混频器选自包括以下的组：单平衡有源混频器、双平衡有源混频器、或单晶体管有源混频器。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述有源混频器包括：

开关电路，被配置为至少部分地基于所述偏置电压和所述交流本地振荡器信号，在所述有源混频器内生成所述直流。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述交流本地振荡器信号具有在所定义的频率范围内的频率，并且所述交流本地振荡器信号的所述振幅在所述所定义的频率范围内变化。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述交流本地振荡器信号的所述振幅至少部分地基于温度、特定频率处的工艺角、或两者而变化。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述有源混频器包括被配置为接收用于上变频的信号的输入，并且被配置为将所述信号从第一中频上变频到第一射频。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述有源混频器包括接收用于下变频的信号的输入，并且被配置为将所述信号从第一射频下变频到第一中频。

13.一种用于无线通信的装置，包括：

有源混频部件，用于至少部分地基于交流本地振荡器信号在射频信号与中频信号之间进行转换，其中在所述有源混频部件内生成的直流部分地取决于偏置电压和所述交流本地振荡器信号；

混频器偏置部件，用于生成用于所述有源混频部件的所述偏置电压，所述偏置电压的幅度至少部分地取决于所述交流本地振荡器信号的振幅；以及

用于相对于所述交流本地振荡器信号的所述振幅来反向地控制所述偏置电压的所述幅度的部件。