[发明专利]高可靠性发光二极管

说明书

提供一种高可靠性发光二极管。根据一实施例的发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，更详细地，涉及一种高可靠性发光二极管。

背景技术

通常，如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等Ⅲ族元素的氮化物由于热稳定性优异，并且具有直接迁移型的能带(band)结构，因此作为可见光线以及紫外线区域的光源用物质而正受到诸多关注。尤其是，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色以及绿色发光二极管被利用在诸如大型天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、高分辨率输出系统和光通信等多种应用领域。

发光二极管一般经过封装工艺而以封装件形态使用。然而最近，对于发光二极管正在进行着关于在芯片级进行封装工艺的芯片级封装件形态的发光二极管的研究。这种发光二极管由于其大小小于一般封装件，并且不单独执行封装工艺，因此可以更加简化工艺而节约时间以及成本。芯片级封装件形态的发光二极管大致具有倒装芯片形态的电极结构，并且由于可以利用凸块焊盘而散热，因此散热特性优异。

并且，芯片级封装件形态的发光二极管一般在第一导电型半导体层电接触的焊盘金属层具有相当大的面积，并且向台面外部延伸。这种焊盘金属层容易受从发光二极管的边缘渗透的水分的影响，从而容易发生接触不良等可靠性问题。

此外，正在开发将多个发光单元串联连接的发光二极管。这种发光二极管可以使一个发光二极管在高电压低电流下工作，从而可以缓解发光二极管的骤降(droop)现象。

然而，在串联连接多个发光单元的情形下，凸块焊盘被电连接到一个发光单元，因此在没有电连接于凸块焊盘的发光单元，通过凸块焊盘进行的散热可能受到限制。

发明内容

技术问题

本发明希望解决的课题为，提供一种提高了可靠性的芯片级封装件形态的倒装芯片结构发光二极管。

本发明希望解决的另一课题为，提供一种可靠性高并且光提取效率高的发光二极管。

本发明希望解决的另一课题为，提供一种提高了散热效率的发光二极管。

本发明希望解决的另一课题为，提供一种具有串联连接的多个发光单元的同时散热性能也被提高的发光二极管。

本发明希望解决的另一课题为，提供一种提高了通过凸块焊盘进行的散热的芯片级封装件形态的倒装芯片结构发光二极管。

技术方案

根据本发明的一实施例的发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在所述第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在所述台面上而与所述第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖所述台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露所述第一导电型半导体层以及所述欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在所述下部绝缘层上，并且与所述第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在所述下部绝缘层上，并且与所述第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层以及所述金属反射层，并且具有暴露所述第一焊盘金属层的开口部，所述金属反射层的至少一部分覆盖所述台面的侧表面。