[发明专利]用于处理基板的处理配件和方法

权利要求书

1.一种处理配件，包含：

非导电上部屏蔽件，具有配置成环绕溅射靶材的上部分和从所述上部分向下延伸的下部分；和

导电下部屏蔽件，由所述非导电上部屏蔽件径向向外设置，且具有圆柱形主体、下壁，所述圆柱形主体具有上部分和下部分，所述下壁从所述下部分水平地径向向内突出到从所述下壁向上突起的唇部，其中所述圆柱形主体由第一间隙与所述非导电上部屏蔽件径向隔开，且其中所述唇部从所述下壁向上突起超过所述非导电上部屏蔽件的所述下部分的底表面，并且其中所述下壁的上表面与所述非导电上部屏蔽件的所述下部分的所述底表面相对并且垂直隔开设置，以限定第二间隙，所述第二间隙配置成限制介于所述非导电上部屏蔽件之中的空间与所述导电下部屏蔽件的所述圆柱形主体之间的直接视线。

2.如权利要求1所述的处理配件，其中所述第一间隙为介于约0.375英寸与约1英寸之间。

3.如权利要求1所述的处理配件，其中所述第二间隙为介于约0.375英寸与约1英寸之间。

4.如权利要求1所述的处理配件，其中所述第一间隙与所述第二间隙相等。

5.如权利要求4所述的处理配件，其中所述第一间隙与所述第二间隙的各者介于约0.375英寸与约1英寸之间。

6.如权利要求1至5任一项所述的处理配件，其中所述非导电上部屏蔽件以陶瓷形成。

7.如权利要求1至5任一项所述的处理配件，其中所述导电下部屏蔽件以铝形成。

8.如权利要求1至5任一项所述的处理配件，其中所述非导电上部屏蔽件为圆柱形的。

9.如权利要求1至5任一项所述的处理配件，进一步包含：

盖环，配置成与所述唇部界面连接。

10.一种处理腔室，包含：

腔室主体；

基板支撑件，设置于所述腔室主体之中；

溅射靶材，设置于所述腔室主体之中在所述基板支撑件上方；和

处理配件，设置于所述基板支撑件四周，所述处理配件包含：

适配器，耦合至所述腔室主体的顶部；

非导电上部屏蔽件，具有环绕所述溅射靶材的上部分和从所述上部分向下延伸的下部分，其中所述上部分经由所述适配器耦合至所述腔室主体；和

导电下部屏蔽件，由所述非导电上部屏蔽件径向向外耦合至所述腔室主体，且具有圆柱形主体、下壁，所述圆柱形主体具有上部分和下部分，所述下壁从所述下部分水平地径向向内突出到从所述下壁向上突起的唇部，其中所述圆柱形主体由第一间隙与所述非导电上部屏蔽件径向隔开，且其中所述唇部从所述下壁向上突起超过所述非导电上部屏蔽件的所述下部分的底表面，并且其中所述下壁的上表面与所述非导电上部屏蔽件的所述下部分的所述底表面相对并且垂直隔开设置，以限定第二间隙，所述第二间隙配置成限制介于所述非导电上部屏蔽件之中的空间与所述导电下部屏蔽件的所述圆柱形主体之间的直接视线。

11.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述腔室主体为接地的。

12.如权利要求11所述的处理腔室，进一步包含：

导电条带，设置于所述下壁与所述基板支撑件之间，以经由过所述导电下部屏蔽件和所述腔室主体将所述基板支撑件接地。

13.如权利要求10至12任一项所述的处理腔室，其中所述第一间隙为介于约0.375英寸与约1英寸之间。

14.如权利要求10至12任一项所述的处理腔室，其中所述第二间隙为介于约0.375英寸与约1英寸之间。

15.如权利要求10至12任一项所述的处理腔室，其中所述第一间隙与所述第二间隙相等，且其中所述第一间隙与所述第二间隙的各者介于约0.375英寸与约1英寸之间。