[发明专利]碳化硅单晶的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶的制造方法，是使用导向构件而使所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，在配置于坩埚内的碳化硅晶种附近配置所述导向构件的一端，所述导向构件将原料气体向碳化硅晶种侧引导，

该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，在所述单晶生长工序与所述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，

在所述单晶生长工序中，以在所述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与所述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面上的晶体的间隙不完全闭塞的方式生长碳化硅单晶，

在所述晶体生长结束工序中，使温度降低来结束晶体生长，

在所述间隙扩大工序中，使所述间隙的入口附近的原料气体内的Si₂C的分压Pin与所述间隙的出口附近的原料气体内的Si₂C的分压Pout之差Pin-Pout维持为0.18torr以下的状态来扩大所述间隙。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，进行5小时以上的所述间隙扩大工序。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶的制造方法，进行晶体生长总时间的5％以上时间的所述间隙扩大工序。

4.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶的制造方法，制造长度为15mm以上的碳化硅单晶。

5.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶的制造方法，制造平均生长速度为0.15mm/小时以上的碳化硅单晶。

6.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，在间隙扩大工序中的间隙的入口附近的原料气体的温度与间隙的出口附近的温度之差小于在单晶生长工序中的间隙的入口附近的原料气体的温度与间隙的出口附近的温度之差。