[发明专利]使用半导体发光元件的显示装置有效

专利信息
申请号: 201780075653.8 申请日: 2017-01-31
公开(公告)号: CN110050512B 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 崔桓准;李勇翰 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H05B33/12 分类号: H05B33/12;H05B33/10;H01L27/15;G09F9/30;H01L33/36
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 马芸莎;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 半导体 发光 元件 显示装置
【权利要求书】:

1.一种具有安装在基板上的多个半导体发光元件的显示装置,

其中,所述半导体发光元件中的至少一个包括:

第一导电电极和第二导电电极;

第一导电半导体层,该第一导电半导体层设置有所述第一导电电极;

第二导电半导体层,该第二导电半导体层被配置为与所述第一导电半导体层交叠,并且设置有所述第二导电电极;

第一钝化层,该第一钝化层形成为覆盖所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层的外表面;以及

第二钝化层,该第二钝化层形成为覆盖所述第一钝化层,并且形成为所述第二钝化层的至少部分在厚度上发生变化,

其中,所述第二钝化层包括沿着所述半导体发光元件的厚度方向不与所述第二导电半导体层交叠的部分,并且

所述第一导电电极和所述第二导电电极中的至少一个形成为覆盖不交叠部分,

其中,所述第一钝化层包括所述第一导电半导体层上的第一通孔,

其中,所述第二钝化层包括所述第一钝化层上的第三通孔,

其中,所述第一导电电极包括所述第一通孔中的第一电极部分和所述第三通孔中的第二电极部分,

其中,所述第一电极部分在所述第一通孔中具有第一宽度并且所述第二电极部分在所述第三通孔中具有小于所述第一宽度的第二宽度,

其中,所述第一电极部分具有在所述第一钝化层之上延伸的突出第一电极部分,

其中,所述第二电极部分具有在所述第二钝化层之上延伸的突出第二电极部分,并且

其中,所述突出第二电极部分沿着所述半导体发光元件的所述厚度方向与所述突出第一电极部分交叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一钝化层包括覆盖所述第一导电半导体层的下表面的第一部分以及覆盖所述第二导电半导体层的下表面的第二部分,并且

所述第一部分和所述第二部分相对于所述第二导电半导体层具有高度差。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二钝化层上覆盖所述第一部分和所述第二部分的部分的外表面是所述第二钝化层的下表面,并且

由于所述第二钝化层的厚度变化,所述第二钝化层的下表面形成为没有高度差的平面。

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,通孔形成在所述第一钝化层和所述第二钝化层中,并且

所述第一导电电极和所述第二导电电极分别通过所述通孔延伸至所述第二钝化层上没有高度差的平面,

其中,所述第一导电电极包括连接到所述第二钝化层上的所述第二电极部分的第三电极部分,并且

其中,所述第三电极部分具有小于所述第一通孔中的所述第一宽度的第三宽度。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二钝化层的下表面具有不同于所述第一钝化层的面积。

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二钝化层的下表面的面积大于所述第一钝化层的下表面的面积。

7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,由于所述厚度变化,所述第二钝化层被配置为具有与所述第一钝化层的横截面形状不同的横截面形状。

8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一钝化层以均匀厚度形成,并且所述第二钝化层以非均匀厚度形成。

9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二导电电极的至少部分沿着所述半导体发光元件的厚度方向与所述第一导电半导体层交叠。

10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电电极和所述第二导电电极的投影面积之比形成为比所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层的投影面积之比更接近1:1,

其中,所述第一导电电极和所述第二导电电极分别具有截断的圆形形状。

11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一钝化层由硅化合物或氧化物形成,并且所述第二钝化层由聚合物制成。

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